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本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成介電層；形成貫穿所述介電層的導(dǎo)電通孔；在所述導(dǎo)電通孔中形成導(dǎo)電插塞；在所述介電層上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述導(dǎo)電插塞；在所述保護(hù)層和介電層中形成對(duì)準(zhǔn)溝槽，所述對(duì)準(zhǔn)溝槽與所述導(dǎo)電插塞相隔離；形成所述對(duì)準(zhǔn)溝槽后，去除所述保護(hù)層，露出所述導(dǎo)電插塞的頂部；去除所述保護(hù)層后，在所述導(dǎo)電插塞上形成磁性隧道結(jié)疊層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例形成的保護(hù)層能夠?qū)?dǎo)電插塞起到保護(hù)的作用，從而防止導(dǎo)電插塞被氧化而形成金屬氧化物，進(jìn)而有利于使所述MTJ疊層結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電插塞直接接觸，相應(yīng)有利于提升MTJ疊層結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電插塞的接觸性能，MRAM器件的性能也得到了提升。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成介電層；在所述介電層上形成刻蝕停止層；形成貫穿所述刻蝕停止層和介電層的導(dǎo)電通孔；在所述導(dǎo)電通孔中形成導(dǎo)電插塞；在所述刻蝕停止層上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述導(dǎo)電插塞，所述保護(hù)層的材料與所述介電層的材料相同，且所述保護(hù)層的材料與所述介電層的材料均為氧化硅；在所述保護(hù)層和介電層中形成對(duì)準(zhǔn)溝槽，所述對(duì)準(zhǔn)溝槽與所述導(dǎo)電插塞相隔離；形成所述對(duì)準(zhǔn)溝槽后，以所述刻蝕停止層的頂面為停止位置，去除所述保護(hù)層，露出所述導(dǎo)電插塞的頂部；去除所述保護(hù)層后，在所述導(dǎo)電插塞上形成磁性隧道結(jié)疊層結(jié)構(gòu)，所述磁性隧道結(jié)疊層結(jié)構(gòu)覆蓋所述導(dǎo)電插塞側(cè)部的部分刻蝕停止層。

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