恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司張海洋獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體器件的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113628961B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010376876.1，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權半導體器件的形成方法是由張海洋;韓秋華;鄭二虎;涂武濤設計研發完成，并于2020-05-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件的形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體結構的形成方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成偽柵極結構和覆蓋偽柵極結構側壁的底部介質層；刻蝕去除所述偽柵極結構，在所述底部介質層中形成柵開口；在所述柵開口的內壁形成高k柵介質層；形成所述高k柵介質層之后，對所述高k柵介質層執行遠端等離子體處理工藝；對所述高k柵介質層執行遠端等離子體工藝之后，在所述柵開口內形成金屬柵極。上述的方案，可以提高所形成的半導體結構的性能。
本發明授權半導體器件的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括襯底和位于所述襯底上的鰭部，所述鰭部的材料包括SiGe；在所述基底上形成偽柵極結構和覆蓋偽柵極結構側壁的底部介質層；刻蝕去除所述偽柵極結構，以在所述底部介質層中形成柵開口；在所述柵開口的內壁形成高k柵介質層；對所述高k柵介質層執行遠端等離子體處理工藝，以對所述高k柵介質層進行表面鈍化處理，去除所述高k柵介質層表面存在著氧空位和界面陷阱，并降低缺陷電荷密度；對所述高k柵介質層執行遠端等離子體處理工藝之前，還包括：對所述高k柵介質層執行脈沖等離子體處理工藝；所述脈沖等離子體處理工藝所使用的氣體包括SF6，通過處理氣體SF6中F離子和S離子消除SiGe鰭部中存在的懸掛鍵；對所述高k柵介質層執行遠端等離子體工藝和脈沖等離子體處理工藝之后，在所述柵開口內形成金屬柵極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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