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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專利一種晶片承載盤獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116113730B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080103949.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/458；該發(fā)明授權(quán)一種晶片承載盤是由程凱;張麗旸設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-07向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種晶片承載盤在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種晶片承載盤，晶片承載盤的凹槽底部以經(jīng)過凹槽的中心的第一分界線將凹槽底部分為靠近所述晶片承載盤的中心的第一區(qū)域和遠(yuǎn)離晶片承載盤的中心的第二區(qū)域，凹槽底部包括凹槽底面以及形成在凹槽底面上的凸出結(jié)構(gòu)，凸出結(jié)構(gòu)的表面為曲面，曲面頂點(diǎn)位于凹槽底部的所述第二區(qū)域，位于第二區(qū)域的凸出結(jié)構(gòu)的平均高度高于位于第一區(qū)域的所述凸出結(jié)構(gòu)的平均高度。晶片承載盤凹槽底部的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)能較好匹配III?V族氮化物晶片有源區(qū)外延過程中的翹曲，使溫場(chǎng)分布更均勻，從而提升提高發(fā)光外延片的波長(zhǎng)均勻性。

本發(fā)明授權(quán)一種晶片承載盤在權(quán)利要求書中公布了：1.一種晶片承載盤，包括至少一個(gè)凹槽，其特征在于，所述凹槽包括：凹槽底部，所述凹槽底部以經(jīng)過所述凹槽的中心的第一分界線將所述凹槽底部分為靠近所述晶片承載盤的中心的第一區(qū)域和遠(yuǎn)離所述晶片承載盤的中心的第二區(qū)域，所述凹槽底部包括：凹槽底面；凸出結(jié)構(gòu)，形成在所述凹槽底面上，所述凸出結(jié)構(gòu)的表面為曲面，所述曲面具有一個(gè)頂點(diǎn)，所述頂點(diǎn)在水平面上的投影位于所述凹槽底部的所述第二區(qū)域，所述凸出結(jié)構(gòu)的邊緣位于所述凹槽底面，所述凸出結(jié)構(gòu)的邊緣與所述凹槽底面的邊緣非重合，所述凹槽底部具有未被所述凸出結(jié)構(gòu)覆蓋的未覆蓋區(qū)域；其中，位于所述第二區(qū)域的所述凸出結(jié)構(gòu)的平均高度高于位于所述第一區(qū)域的所述凸出結(jié)構(gòu)的平均高度。

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