恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司李昇展獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利集成芯片結構和其形成方法以及形成多維集成芯片的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112750758B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010940991.7，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權集成芯片結構和其形成方法以及形成多維集成芯片的方法是由李昇展;周正賢;陳昇照;蔡正原;吳國銘設計研發完成，并于2020-09-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成芯片結構和其形成方法以及形成多維集成芯片的方法在說明書摘要公布了：在一些實施例中，本公開涉及一種形成集成芯片結構的方法。可以通過在設置在第一半導體襯底的上表面上方的第一互連結構內形成多個互連層來執行該方法。執行邊緣修整工藝以沿著第一半導體襯底的周邊去除第一互連結構和第一半導體襯底的部分。邊緣修整工藝導致第一半導體襯底具有通過直接設置在第一半導體襯底上方的內側壁而耦合到上表面的凹進表面。在執行邊緣修整工藝之后，在第一互連結構的側壁上形成介電保護層。本公開還涉及形成多維集成芯片的方法以及集成芯片結構。
本發明授權集成芯片結構和其形成方法以及形成多維集成芯片的方法在權利要求書中公布了：1.一種形成集成芯片結構的方法，包括：在設置在第一半導體襯底的上表面上方的第一互連結構內形成多個互連層；執行邊緣修整工藝以沿著第一半導體襯底的周邊去除所述第一互連結構和所述第一半導體襯底的部分，其中，所述邊緣修整工藝導致所述第一半導體襯底具有通過直接設置在所述第一半導體襯底上方的內側壁耦接到所述上表面的凹進表面；在執行所述邊緣修整工藝之后，在所述第一互連結構的側壁上形成介電保護層；將所述第一半導體襯底接合到第二半導體襯底；以及在將所述第一半導體襯底接合到所述第二半導體襯底之后，減小所述第一半導體襯底的厚度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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