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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利用于垂直場效應晶體管的對稱二維鰭結構和制造其的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112652537B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011072807.8，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權用于垂直場效應晶體管的對稱二維鰭結構和制造其的方法是由金善培;宋昇炫;鄭榮采設計研發完成，并于2020-10-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于垂直場效應晶體管的對稱二維鰭結構和制造其的方法在說明書摘要公布了：本發明構思提供了一種制造垂直場效應晶體管VFET的鰭結構的方法和通過該方法制造的鰭結構。所述方法包括：a圖案化下層和沉積在下層上的上層，以形成分別在彼此垂直的兩個方向上延伸的兩個圖案；b沿著下層和上層的通過圖案化暴露的側壁在所述兩個圖案中并排地形成第一間隔物和第二間隔物；c去除在下層的頂表面的水平之上的第一間隔物、第二間隔物和上層、以及在下層的頂表面的水平之下并在俯視圖中通過所述兩個圖案暴露的第一間隔物；d去除在操作c之后保留在襯底上的下層、上層和第二間隔物；以及e除了襯底的位于在操作d之后保留在襯底上的第一間隔物之下的部分以外，向下蝕刻襯底，并去除保留的第一間隔物，從而獲得鰭結構。

本發明授權用于垂直場效應晶體管的對稱二維鰭結構和制造其的方法在權利要求書中公布了：1.一種制造垂直場效應晶體管的至少一個鰭結構的方法，所述方法包括以下操作：a在襯底上形成第一層，所述第一層具有至少一個第一圖案，所述第一圖案以恒定的第一寬度在第一方向上延伸并且穿透所述第一層，使得所述襯底的頂表面在所述第一方向上通過所述第一圖案暴露；b在所述第一層上形成第二層，使得所述第二層形成在所述第一層的頂表面上并且填充所述第一圖案；c在所述第二層的頂表面上形成第三層，所述第三層具有至少一個掩模圖案，所述至少一個掩模圖案橫越所述第一圖案、以恒定的第二寬度在不同于所述第一方向的第二方向上延伸、以及穿透所述第三層，使得所述第二層的頂表面在所述第二方向上通過所述掩模圖案暴露；d使用所述第三層作為掩模沿著所述掩模圖案來圖案化所述第二層，使得所述掩模圖案穿透所述第二層以形成與所述掩模圖案對應的至少一個第二圖案，所述第一層的所述頂表面通過所述第二圖案暴露，并且所述襯底的所述頂表面通過所述第一圖案和所述第二圖案暴露；e去除所述第三層；f沿著所述第一層的通過所述第一圖案暴露的側壁和所述第二層的通過所述第二圖案暴露的側壁形成第一間隔物；g沿著所述第一間隔物的側壁形成第二間隔物；h去除形成在所述第一層的所述頂表面之上并且在所述第二層與所述第二間隔物之間的所述第一間隔物、以及在所述第一層的所述頂表面之下并且在俯視圖中通過所述第一圖案和所述第二圖案暴露的所述第一間隔物；i去除形成在所述第一層的所述頂表面的水平之上的所述第二層和所述第二間隔物；j去除在所述襯底的所述頂表面的水平之上的所述第一層、所述第二層和所述第二間隔物；以及k除了所述襯底的在從操作j留下的所述第一間隔物之下的部分以外，向下蝕刻所述襯底，并且去除從操作j留下的所述第一間隔物，從而獲得所述鰭結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。