恭喜格芯(美國)集成電路科技有限公司M·D·萊維獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜格芯(美國)集成電路科技有限公司申請的專利雪崩光電二極管獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113540266B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110261431.3,技術領域涉及:H10F77/40;該發明授權雪崩光電二極管是由M·D·萊維;S·P·埃杜蘇米利;J·J·埃利斯-莫納甘;V·賈因;R·哈茲布恩;P·東莫;C·E·路斯;S·M·尚克;R·克里希納薩米設計研發完成,并于2021-03-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本雪崩光電二極管在說明書摘要公布了:本公開涉及半導體結構,更具體地涉及雪崩光電二極管及制造方法。該結構包括:襯底材料,其具有溝槽,該溝槽具有由該襯底材料構成的側壁和底部;第一半導體材料,其對溝槽的側壁和底部加襯里;光敏半導體材料,其設置在第一半導體材料上;以及第三半導體材料,其設置在光敏半導體材料上。
本發明授權雪崩光電二極管在權利要求書中公布了:1.一種半導體結構,包括:襯底材料,其具有溝槽,所述溝槽具有包括所述襯底材料的側壁和底部,所述襯底材料由半導體材料組成;第一半導體材料,其對所述溝槽的所述側壁和所述底部加襯里;光敏半導體材料,其設置在所述第一半導體材料上;以及第三半導體材料,其包括位于所述光敏半導體材料的中心的插塞并且在所述光敏半導體材料的頂表面上延伸。
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