買(mǎi)專利賣(mài)專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113363208B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110557935.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由潘冠廷;王志豪;朱熙甯;游家權(quán);江國(guó)誠(chéng)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-05-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：方法包括提供一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)具有：從襯底延伸的兩個(gè)鰭；隔離鰭的底部的隔離結(jié)構(gòu)；位于每個(gè)鰭上方的源極漏極SD部件；平行于鰭縱向定向并且設(shè)置在兩個(gè)鰭之間與隔離結(jié)構(gòu)上方的介電鰭；位于隔離結(jié)構(gòu)、鰭和介電鰭上方的偽柵極堆疊件；以及位于偽柵極堆疊件的側(cè)壁上方的一個(gè)或多個(gè)介電層。該方法還包括：去除偽柵極堆疊件，以在一個(gè)或多個(gè)介電層內(nèi)產(chǎn)生柵極溝槽，其中，介電鰭暴露于柵極溝槽中；修整介電鰭以減小介電鰭的寬度；以及在修整之后，在柵極溝槽中形成高k金屬柵極。本發(fā)明的實(shí)施例還涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：提供結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有：從襯底延伸的兩個(gè)鰭；隔離所述鰭的底部的隔離結(jié)構(gòu)；位于每個(gè)所述鰭上方的源極漏極SD部件；平行于所述鰭縱向定向并且設(shè)置在兩個(gè)所述鰭之間與所述隔離結(jié)構(gòu)上方的介電鰭；位于所述隔離結(jié)構(gòu)、所述鰭和所述介電鰭上方的偽柵極堆疊件；以及位于所述偽柵極堆疊件的側(cè)壁表面上方的一個(gè)或多個(gè)介電層；去除所述偽柵極堆疊件，以在所述一個(gè)或多個(gè)介電層內(nèi)產(chǎn)生柵極溝槽，其中，在所述柵極溝槽中暴露所述介電鰭；修整所述介電鰭以減小所述介電鰭的寬度；以及在所述修整之后，在所述柵極溝槽中形成高k金屬柵極。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國(guó)臺(tái)灣新竹；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。