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龍圖騰網恭喜上海華力集成電路制造有限公司申請的專利FinFET的自加熱效應的測試結構和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113948498B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111097855.7，技術領域涉及：H01L23/544；該發明授權FinFET的自加熱效應的測試結構和方法是由李勇設計研發完成，并于2021-09-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本FinFET的自加熱效應的測試結構和方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種FinFET的自加熱效應的測試結構，在鰭體上形成有具有自加熱效應的FinFET；測試結構包括齊納二極管，由形成于鰭體上的第一導電類型重摻雜的第一嵌入式外延層和第二導電類型重摻雜的第二嵌入式外延層組成，第一嵌入式外延層的底部的形成有第一導電類型阱；FinFET的自加熱效應會使鰭體的被FinFET所覆蓋的區域以及臨近FinFET的區域加熱，齊納二極管設置在鰭體的臨近FinFET的區域上，利用齊納二極管的擊穿電壓會隨溫度變化的特性，通過測量齊納二極管的擊穿電壓測量自加熱效應。本發明還公開了一種FinFET的自加熱效應的測試方法。本發明能實現對FinFET的自加熱效應進行精確測試，且不會對FinFET的導通帶來不利影響，而且方便工藝集成。

本發明授權FinFET的自加熱效應的測試結構和方法在權利要求書中公布了：1.一種FinFET的自加熱效應的測試結構，其特征在于：在鰭體上形成有具有自加熱效應的FinFET；測試結構包括齊納二極管，所述齊納二極管由形成于所述鰭體上的第一導電類型重摻雜的第一嵌入式外延層和第二導電類型重摻雜的第二嵌入式外延層組成，所述第一嵌入式外延層的底部的所述鰭體中形成有第一導電類型阱，所述第二嵌入式外延層形成于所述第一嵌入式外延層的頂部；所述FinFET的自加熱效應會使所述鰭體的被所述FinFET所覆蓋的區域以及臨近所述FinFET的區域加熱，所述齊納二極管設置在所述鰭體的臨近所述FinFET的區域上，利用所述齊納二極管的擊穿電壓會隨溫度變化的特性，通過測量所述齊納二極管的擊穿電壓測量所述鰭體的臨近所述FinFET的區域以實現對FinFET的自加熱效應的測試；所述第一嵌入式外延層和所述第二嵌入式外延層的摻雜濃度越高，所述齊納二極管的擊穿電壓越低，對臨近的所述FinFET的導通影響越小。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華力集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區康橋東路298號1幢1060室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。