恭喜上海華力集成電路制造有限公司劉曉靜獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海華力集成電路制造有限公司申請的專利OPC修正方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114660891B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210189692.3,技術領域涉及:G03F1/36;該發明授權OPC修正方法是由劉曉靜;張月雨設計研發完成,并于2022-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本OPC修正方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種OPC修正方法,包括:步驟一、提供前層圖形,包括具有襯底高度差的第一和第二襯底圖形;步驟二、通過尺寸選擇方式在前層圖形中選擇第一和第二襯底圖形,所選擇的第一和第二襯底圖形對應的反射差值會使光刻膠尺寸差值大于等于規定值;在選擇的第一或第二襯底圖形上設置輔助圖形;步驟三、在當前層原始版圖中選擇會和輔助圖形對應的第一或第二襯底圖形相交的當前層圖形;步驟四、對選擇的當前層圖形進行邊緣分割并進行局部反向尺寸補償,用于抵消反射差值產生的光刻膠尺寸差值;步驟五、對經過局部反向尺寸補償的當前層原始版圖進行OPC修正。本發明能改善跨越不同高度的襯底光刻膠圖形的形貌,改善當前層圖形的線寬或間距的均勻性。
本發明授權OPC修正方法在權利要求書中公布了:1.一種OPC修正方法,其特征在于,包括如下步驟:步驟一、提供前層圖形,所述前層圖形包括第一襯底圖形和第二襯底圖形,所述第一襯底圖形的頂部表面和所述第二襯底圖形的頂部表面之間具有襯底高度差;所述襯底高度差使形成于所述前層圖形表面的底部抗反射層在所述第一襯底圖形和所述第二襯底圖形表面具有厚度差;所述底部抗反射層的厚度差別會使相鄰的所述第一襯底圖形和所述第二襯底圖形之間的襯底剩余反射具有反射差值,所述反射差值使得相鄰的所述第一襯底圖形和所述第二襯底圖形上的當前層圖形對應的光刻膠圖形的關鍵尺寸或間距具有光刻膠尺寸差值;所述反射差值由所述第一襯底圖形和所述第二襯底圖形的尺寸確定;所述第一襯底圖形包括柵極;所述柵極覆蓋在鰭體的頂部表面和側面;所述第二襯底圖形包括淺溝槽隔離;所述淺溝槽隔離位于所述鰭體之間;所述淺溝槽隔離的頂部表面低于所述柵極的頂部表面;所述前層圖形中,各所述柵極平行排列,各所述柵極的長度方向和所述鰭體的長度方向垂直;所述柵極的寬度為柵極通道長度;步驟二、通過尺寸選擇方式在所述前層圖形中選擇所述第一襯底圖形和所述第二襯底圖形,所選擇的所述第一襯底圖形和所述第二襯底圖形對應的所述反射差值會使所述光刻膠尺寸差值大于等于規定值;在選擇的所述第一襯底圖形或所述第二襯底圖形上設置輔助圖形;步驟二中,選擇所述第一襯底圖形或所述第二襯底圖形的實現方式為:選擇寬度大于臨界柵極通道長度的所有所述柵極;所述臨界柵極通道長度通過軟件模擬得到,包括:模擬不同寬度的所述柵極所產生的所述光刻膠尺寸差值;將所述光刻膠尺寸差值的規定值對應的所述柵極的寬度作為所述臨界柵極通道長度;所述輔助圖形設置在所選擇的所述柵極上;所述輔助圖形的形成方法包括:以選擇的所述柵極作為標記層圖形,將所述標記層圖形沿所述柵極的寬度方向延伸擴展形成所述輔助圖形;所述輔助圖形在各所述柵極的長度邊外側延伸的尺寸為0nm~20nm;步驟三、提供當前層原始版圖,在所述當前層原始版圖中選擇會和所述輔助圖形對應的所述第一襯底圖形或所述第二襯底圖形相交的當前層圖形;步驟四、對選擇的所述當前層圖形進行邊緣分割并進行局部反向尺寸補償,所述局部反向尺寸補償用于抵消所述反射差值產生的所述光刻膠尺寸差值;步驟五、對經過所述局部反向尺寸補償的所述當前層原始版圖進行OPC修正。
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