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龍圖騰網(wǎng)恭喜武漢聯(lián)影生命科學(xué)儀器有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利晶體邊界檢測(cè)方法、裝置、探測(cè)器事例定位系統(tǒng)和介質(zhì)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114708191B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202210227015.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06T7/00；該發(fā)明授權(quán)晶體邊界檢測(cè)方法、裝置、探測(cè)器事例定位系統(tǒng)和介質(zhì)是由劉龍朋;盧貞瑞;畢東東;安少輝設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-03-08向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本晶體邊界檢測(cè)方法、裝置、探測(cè)器事例定位系統(tǒng)和介質(zhì)在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)涉及一種晶體邊界檢測(cè)方法、晶體邊界檢測(cè)裝置、探測(cè)器事例定位系統(tǒng)和介質(zhì)。所述方法包括：獲取輻射光源作用于晶體陣列后得到的二維分布直方圖；確定二維分布直方圖中各晶體直方圖的峰值點(diǎn)，并根據(jù)各晶體直方圖的峰值點(diǎn)確定每相鄰兩個(gè)晶體直方圖的峰值間距；根據(jù)每相鄰兩個(gè)晶體直方圖中峰值點(diǎn)之間的連線確定相對(duì)應(yīng)的相鄰兩個(gè)晶體直方圖的切剖夾角θ，在每相鄰兩個(gè)晶體直方圖中分別確定各晶體直方圖的高斯曲線沿著切剖夾角θ的第一標(biāo)準(zhǔn)差和第二標(biāo)準(zhǔn)差；根據(jù)第一標(biāo)準(zhǔn)差和第二標(biāo)準(zhǔn)差的比值對(duì)相對(duì)應(yīng)的相鄰兩個(gè)晶體直方圖的峰值間距進(jìn)行劃分，得到該相鄰兩個(gè)晶體直方圖之間的分割邊界。采用本方法能夠更準(zhǔn)確檢測(cè)到晶體邊界。

本發(fā)明授權(quán)晶體邊界檢測(cè)方法、裝置、探測(cè)器事例定位系統(tǒng)和介質(zhì)在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種晶體邊界檢測(cè)方法，應(yīng)用于PET探測(cè)器，其特征在于，所述方法包括：獲取輻射光源作用于晶體陣列后得到的二維分布直方圖，其中，所述二維分布直方圖包括與各晶體位置相對(duì)應(yīng)的晶體直方圖；確定所述二維分布直方圖中各晶體直方圖的峰值點(diǎn)，并根據(jù)各晶體直方圖的峰值點(diǎn)確定每相鄰兩個(gè)晶體直方圖的峰值間距；根據(jù)每相鄰兩個(gè)晶體直方圖中峰值點(diǎn)之間的連線確定相對(duì)應(yīng)的相鄰兩個(gè)晶體直方圖的切剖夾角θ，在每相鄰兩個(gè)晶體直方圖中分別確定各晶體直方圖的高斯曲線沿著所述切剖夾角θ的第一標(biāo)準(zhǔn)差和第二標(biāo)準(zhǔn)差；根據(jù)所述第一標(biāo)準(zhǔn)差和所述第二標(biāo)準(zhǔn)差的比值對(duì)相對(duì)應(yīng)的相鄰兩個(gè)晶體直方圖的峰值間距進(jìn)行劃分，得到該相鄰兩個(gè)晶體直方圖之間的分割邊界；在每相鄰兩個(gè)晶體直方圖中分別確定各晶體直方圖的高斯曲線沿著所述切剖夾角θ的第一標(biāo)準(zhǔn)差和第二標(biāo)準(zhǔn)差包括：根據(jù)各晶體直方圖的二維高斯曲線確定每相鄰兩個(gè)晶體直方圖中第一晶體直方圖在x軸方向的第一橫向標(biāo)準(zhǔn)差和在y軸方向的第一縱向標(biāo)準(zhǔn)差，以及第二晶體直方圖在x軸方向的第二橫向標(biāo)準(zhǔn)差和在y軸方向的第二縱向標(biāo)準(zhǔn)差；根據(jù)所述第一橫向標(biāo)準(zhǔn)差、所述第一縱向標(biāo)準(zhǔn)差和所述切剖夾角θ確定所述第一晶體直方圖的一維高斯曲線沿著所述切剖夾角θ的第一標(biāo)準(zhǔn)差，以及根據(jù)所述第二橫向標(biāo)準(zhǔn)差、所述第二縱向標(biāo)準(zhǔn)差和所述切剖夾角θ確定所述第二晶體直方圖的一維高斯曲線沿著所述切剖夾角θ的第二標(biāo)準(zhǔn)差，其中，所述一維高斯曲線分別是沿著所述第一晶體直方圖和所述第二晶體直方圖的兩峰值點(diǎn)連線所在方向的一維高斯曲線。

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