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龍圖騰網恭喜深圳市亞爾訊科技有限公司申請的專利一種硅基電阻及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119630003B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510149962.1，技術領域涉及：H10D1/47；該發明授權一種硅基電阻及其制造方法是由羅正軍設計研發完成，并于2025-02-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種硅基電阻及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種硅基電阻及其制造方法，該方法包括獲取電阻襯底以及電阻襯底的材料數據，根據材料數據計算得到待制造電阻的電阻值，材料數據包括電阻襯底的電阻率、長度和面積；對電阻襯底依次進行清洗和氧化處理，得到氧化襯底；對氧化襯底依次進行光刻、硼注入和清洗處理，得到襯底硅片；對襯底硅片的正面依次進行金屬蒸發、金屬光刻、金屬腐蝕、金屬去膠和合金處理，得到待貼膜硅片；對待貼膜硅片依次進行貼膜、腐蝕和金屬蒸發處理，得到與電阻值相同的硅基電阻。通過該硅基電阻的制造方法制造硅基電阻，成本低且制造的硅基電阻是采用貼片封裝的，使得硅基電阻的占空面積小，解決現在電阻存在電阻面積大、制造成本高且加工工藝復雜的問題。

本發明授權一種硅基電阻及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種硅基電阻的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：獲取電阻襯底以及所述電阻襯底的材料數據，根據所述材料數據計算得到待制造電阻的電阻值，所述材料數據包括電阻襯底的電阻率、長度和面積；對所述電阻襯底依次進行清洗和氧化處理，得到氧化襯底；對所述氧化襯底依次進行光刻、硼注入和清洗處理，得到襯底硅片；對所述襯底硅片的正面依次進行金屬蒸發、金屬光刻、金屬腐蝕、金屬去膠和合金處理，得到待貼膜硅片；對所述待貼膜硅片依次進行貼膜、腐蝕和金屬蒸發處理，得到與所述電阻值相同的硅基電阻；對所述襯底硅片的正面依次進行金屬蒸發、金屬光刻、金屬腐蝕、金屬去膠和合金處理，得到待貼膜硅片包括：對所述襯底硅片的正面金屬鈦和鋁進行蒸發處理，得到第一硅片；對所述第一硅片依次進行涂膠、前烘、對位、顯影、定影和堅膜處理，得到第二硅片；對所述第二硅片依次進行正面金屬鋁腐蝕、金屬鈦腐蝕和采用EDTA腐蝕液進行晶片表面處理，得到第三硅片；對所述第三硅片的正面金屬采用去膠工藝進行處理，得到第四硅片；采用第四溫度和合金時間對所述第四硅片的金屬層進行合成，得到待貼膜硅片；對所述待貼膜硅片依次進行貼膜、腐蝕和金屬蒸發處理，得到與所述電阻值相同的硅基電阻包括：對所述待貼膜硅片的正面進行貼膜后，得到貼膜硅片；對所述貼膜硅片的背面金屬采用腐蝕工藝進行腐蝕，得到待蒸發硅片；對所述待蒸發硅片的背面金屬依次進行金屬鈦、金屬鎳和金屬銀蒸發處理，得到與所述電阻值相同的硅基電阻。

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