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龍圖騰網(wǎng)恭喜中建八局檢測(cè)科技有限公司申請(qǐng)的專利一種基于隧道效應(yīng)的Ni/Fe3O4復(fù)合納米三維陣列應(yīng)變傳感器制備方法及傳感器獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119826676B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510310048.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01B7/16；該發(fā)明授權(quán)一種基于隧道效應(yīng)的Ni/Fe3O4復(fù)合納米三維陣列應(yīng)變傳感器制備方法及傳感器是由王鵬宇;李輝;劉小飛;劉瑞金;劉文道;王猛;王貴喜;徐莉設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-03-17向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種基于隧道效應(yīng)的Ni/Fe3O4復(fù)合納米三維陣列應(yīng)變傳感器制備方法及傳感器在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)涉及一種基于隧道效應(yīng)的NiFe3O4復(fù)合納米三維陣列應(yīng)變傳感器制備方法及傳感器，該制備方法包括步驟：通過(guò)勻膠機(jī)制備PDMS基底層；使用噴金儀在PDMS基底層上噴涂一定厚的納米Pt粒子導(dǎo)電層；在PDMS基底層蒸鍍粘貼銅導(dǎo)帶作為電極；沉積鎳納米線；在噴涂有納米Pt電子層的PDMS基底層表面沉積鎳納米線陣列，在PDMS基底層寬度方向上，將鎳納米線陣列沉積位置偏離中軸線；在鎳納米線陣列表面生長(zhǎng)Fe3O4納米顆粒以形成NiFe3O4復(fù)合納米三維陣列傳感層；封裝NiFe3O4復(fù)合納米三維陣列應(yīng)變傳感層。本申請(qǐng)具有可響應(yīng)三重各向異性應(yīng)變信號(hào)，具有精準(zhǔn)的解耦特性，具備多維應(yīng)變幅度和方向的檢測(cè)能力。

本發(fā)明授權(quán)一種基于隧道效應(yīng)的Ni/Fe3O4復(fù)合納米三維陣列應(yīng)變傳感器制備方法及傳感器在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種基于隧道效應(yīng)的NiFe3O4復(fù)合納米三維陣列應(yīng)變傳感器制備方法，其特征在于，包括步驟：通過(guò)勻膠機(jī)制備PDMS基底層；使用噴金儀在PDMS基底層上噴涂30-80nm厚的納米Pt粒子導(dǎo)電層；在PDMS基底層長(zhǎng)度方向兩端蒸鍍粘貼銅導(dǎo)帶作為電極；通過(guò)電化學(xué)沉積法制備排列有序的鎳納米線；在噴涂有納米Pt粒子導(dǎo)電層的PDMS基底層表面沉積有序的鎳納米線陣列，在PDMS基底層寬度方向上，將鎳納米線陣列沉積位置偏離中軸線；在鎳納米線陣列表面生長(zhǎng)Fe3O4納米顆粒以形成NiFe3O4復(fù)合納米三維陣列傳感層；封裝NiFe3O4復(fù)合納米三維陣列應(yīng)變傳感層：選用熱塑性聚酰亞胺樹(shù)脂作為原料，添加增塑劑、穩(wěn)定劑進(jìn)行混合，混煉熔融后通過(guò)鑄膜法制備TPI薄膜，將TPI薄膜置于NiFe3O4復(fù)合納米三維陣列傳感層上，進(jìn)行熱壓焊接以使TPI薄膜與NiFe3O4復(fù)合納米三維陣列傳感層粘結(jié)密封；通過(guò)電化學(xué)沉積法制備鎳納米線的步驟包括：選用具有規(guī)則孔徑的陽(yáng)極氧化鋁膜作為沉積模板，在真空濺射腔室內(nèi)對(duì)陽(yáng)極氧化鋁膜背面濺射一層金屬背電極，濺射時(shí)間為5-20min，濺射功率為60-250W；配制濃度一定的鎳離子電解質(zhì)溶液，并將陽(yáng)極氧化鋁膜置于鎳離子電解質(zhì)溶液中，通入恒電流進(jìn)行電化學(xué)沉積，將沉積完成的鎳納米線的陽(yáng)極氧化鋁膜浸入5-10％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的NaOH溶液中，在60-80℃條件下靜置2.5-7h，直至陽(yáng)極氧化鋁膜完全溶解，以獲得鎳納米線，將鎳納米線進(jìn)行清洗并置于無(wú)水乙醇中，采用超聲將鎳納米線均勻分散制成懸浮液；所述在噴涂有納米Pt粒子導(dǎo)電層的PDMS基底層表面沉積有序的鎳納米線陣列，在PDMS基底層寬度方向上，將鎳納米線陣列沉積位置偏離中軸線的步驟包括：將雙通聚甲基丙烯酸甲酯方盒容器置于PDMS基底層上，并將接觸部分密封，之后放于平行磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向與PDMS基底層寬度方向一致，用移液管將均勻分散的鎳納米懸浮液移至雙通聚甲基丙烯酸甲酯方盒容器內(nèi)靜置，以在PDMS基底上沉積出高度有序的鎳納米線陣列。

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