恭喜西北工業大學;西安西測測試技術股份有限公司蘇昱太獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜西北工業大學;西安西測測試技術股份有限公司申請的專利一種多芯片CCGA封裝焊柱失效風險評價方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119862620B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510353802.9,技術領域涉及:G06F30/10;該發明授權一種多芯片CCGA封裝焊柱失效風險評價方法是由蘇昱太;周圳銳;李澤新設計研發完成,并于2025-03-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種多芯片CCGA封裝焊柱失效風險評價方法在說明書摘要公布了:本申請公開了一種多芯片CCGA封裝焊柱失效風險評價方法,屬于電子封裝及可靠性分析技術領域,方法包括:通過獲取多芯片CCGA封裝結構的幾何和材料參數建立有限元分析模型;設定非均勻工況條件并施加邊界條件及約束,經熱循環加載分析獲取焊柱的非均勻分布熱應力;提取關鍵數據,利用Coffin?Manson熱疲勞模型計算焊柱疲勞壽命并確定壽命矩陣;基于熱疲勞模型和線性積累損傷理論計算焊柱損傷量并獲取損傷矩陣;根據損傷矩陣判定焊柱失效并獲得風險等級矩陣。該方法可根據實際工況在設計與早期驗證階段快速準確評估多芯片耦合場景下焊柱的應力分布與失效機理,為高可靠性電子產品研發提供科學支撐。
本發明授權一種多芯片CCGA封裝焊柱失效風險評價方法在權利要求書中公布了:1.一種多芯片CCGA封裝焊柱失效風險評價方法,其特征在于,所述方法包括:S1:獲取多芯片CCGA封裝結構的幾何參數和材料參數;S2:建立多芯片CCGA封裝的有限元分析模型:基于所述幾何參數建立所述多芯片CCGA封裝結構的幾何模型,并對所述幾何模型添加材料參數,形成多芯片CCGA封裝的有限元分析模型,其中,所述幾何模型為自上而下順序疊置的多個芯片、陶瓷基板、焊柱陣列和印刷電路板,所述多個芯片并排平鋪在所述陶瓷基板上;S3:利用所述有限元分析模型,進行非均勻溫度載荷下的耦合分析:對建好的所述有限元分析模型施加邊界條件及約束,對不同芯片設定不同的工況溫度條件,進行熱循環加載條件下模擬并獲取焊柱的熱應力分布;S4:根據所述多芯片CCGA封裝的有限元分析模型和所述焊柱在非均勻分布溫度下的應力分布,提取關鍵數據,獲取Coffin-Manson熱疲勞模型的相關疲勞參數,并由Coffin-Manson熱疲勞模型公式計算得到所述焊柱的疲勞壽命,確定多芯片CCGA封裝焊柱疲勞參數壽命矩陣;S5:進行非均勻損傷的風險評估:基于所述Coffin-Manson熱疲勞模型和線性積累損傷理論計算所述焊柱在非均勻分布熱應力下的損傷量并獲取多芯片CCGA封裝焊柱損傷矩陣;根據所述多芯片CCGA封裝焊柱損傷矩陣進行焊柱失效判定并獲得多芯片CCGA封裝焊柱的風險等級矩陣。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人西北工業大學;西安西測測試技術股份有限公司,其通訊地址為:710072 陜西省西安市碑林區友誼西路127號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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