買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜應用材料公司申請的專利用于晶片放氣的等離子體增強退火腔室獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115206765B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210877835.X，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權用于晶片放氣的等離子體增強退火腔室是由勞拉·哈夫雷查克;馬修·D·斯科特奈伊-卡斯爾;諾曼·L·塔姆;馬修·斯伯勒;剛·龍·塞繆爾·陳;姚東明;斯蒂芬·莫法特設計研發完成，并于2017-04-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于晶片放氣的等離子體增強退火腔室在說明書摘要公布了：本文所述的實施方式提供具有原位清潔能力的熱基板處理裝置。本文所述的裝置可包括熱處理腔室，所述熱處理腔室限定處理容積并且基板支撐件可布置于處理容積內。一個或多個遠程等離子體源可與處理容積流體連通，并且遠程等離子體源可配置成將等離子體傳送到處理容積。

本發明授權用于晶片放氣的等離子體增強退火腔室在權利要求書中公布了：1.一種基板處理裝置，包含：第一處理腔室，所述第一處理腔室限定第一處理容積；第二處理腔室，所述第二處理腔室限定第二處理容積；第一遠程等離子體源，所述第一遠程等離子體源通過第一等離子體導管耦合至所述第一處理腔室，所述第一等離子體導管配置成將等離子體從所述第一遠程等離子體源傳送到設置在所述第一處理容積中的第一噴頭；第二等離子體導管，所述第二等離子體導管耦合在所述第一遠程等離子體源與所述第二處理腔室之間，所述第二等離子體導管配置成將所述等離子體從所述第一遠程等離子體源傳送到設置在所述第二處理容積中的第二噴頭；第二遠程等離子體源，所述第二遠程等離子體源通過第三等離子體導管耦合至所述第二處理腔室；排放裝置，所述排放裝置通過第一排放導管耦合至所述第一處理腔室，并且通過第二排放導管耦合至所述第二處理腔室；共同排放導管，所述共同排放導管將所述第一排放導管和所述第二排放導管耦合至所述排放裝置；總排放流量控制器，所述總排放流量控制器設置在所述共同排放導管中；和腔室排放流量控制器，所述腔室排放流量控制器設置在所述第一排放導管中。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人應用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。