恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司;臺積電(南京)有限公司;臺積電(中國)有限公司王新泳獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司;臺積電(南京)有限公司;臺積電(中國)有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN113078150B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010285587.0，技術領域涉及：H10D84/83；該發(fā)明授權半導體器件及其制造方法是由王新泳;韓劉設計研發(fā)完成，并于2020-04-13向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件及其制造方法。一種半導體器件，包括：源極漏極區(qū)域、體區(qū)域、第一柵極結構和第二柵極結構。源極漏極區(qū)域和體區(qū)域位于襯底中。第一柵極結構和第二柵極結構位于襯底上方。源極漏極區(qū)域和體區(qū)域位于第一柵極結構的相反側。第二柵極結構與第一柵極結構間隔開。源極漏極區(qū)域、體區(qū)域和第一柵極結構位于第二柵極結構的同一側。
本發(fā)明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：源極漏極區(qū)域，位于襯底中；體區(qū)域，位于所述襯底中；第一柵極結構，位于所述襯底上方，其中，所述源極漏極區(qū)域和所述體區(qū)域位于所述第一柵極結構的相反側；以及第二柵極結構，位于所述襯底上方并且與所述第一柵極結構間隔開，其中，所述源極漏極區(qū)域、所述體區(qū)域和所述第一柵極結構位于所述第二柵極結構的同一側，其中，所述第二柵極結構包括金屬，并且所述第一柵極結構不含金屬。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司;臺積電(南京)有限公司;臺積電(中國)有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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