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龍圖騰網恭喜中國科學院理化技術研究所申請的專利一種易轉移的PbX單晶薄膜的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114864377B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110154408.4，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權一種易轉移的PbX單晶薄膜的制備方法是由孟祥敏;王一凡;夏靜;李玄澤設計研發完成，并于2021-02-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種易轉移的PbX單晶薄膜的制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種易轉移的PbX單晶薄膜的制備方法，包括以下步驟：在反應容器中放置可溶于水的單晶片襯底，充入惰性氣體，升溫至500?680℃，PbCl2粉末和X粉各自升華后的氣體混合反應，反應結束后，自然冷卻至室溫，單晶片襯底表面異質外延生長有PbX單晶薄膜；將單晶片襯底溶解，得到PbX單晶薄膜；其中，X為S、Te、Se。本發明采用化學氣相沉積法，得到的單晶薄膜的結晶度高、晶體取向單一、內部缺陷少，與襯底的剝離過程對單晶薄膜沒有損傷，單晶薄膜可以保持原有的晶體取向和完整的形貌。同時，該制備方法簡單、耗時短、可控性強、成本低，在光電子學領域具有良好的應用前景。

本發明授權一種易轉移的PbX單晶薄膜的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種易轉移的PbX單晶薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：在反應容器中放置可溶于水的單晶片襯底，充入惰性氣體，升溫至500-680℃，PbCl2粉末和X粉各自升華后的氣體混合反應，反應結束后，自然冷卻至室溫，單晶片襯底表面異質外延生長有PbX單晶薄膜；將單晶片襯底溶解，得到PbX單晶薄膜；其中，X為S；所述單晶片襯底選自NaCl單晶片或KCl單晶片；單晶片襯底置于PbCl2粉末之上；X粉升華后的氣體以惰性氣體為載體，進而與PbCl2粉末升華后的氣體混合反應；當反應器在升溫過程中時，所述惰性氣體的流速為300-500sccm；當反應器溫度保持在500-680℃時，所述惰性氣體的流速為30-100sccm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院理化技術研究所，其通訊地址為：100190 北京市海淀區中關村東路29號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。