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龍圖騰網恭喜邱志威申請的專利半導體超薄堆疊結構的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115376938B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110544381.X，技術領域涉及：H01L21/60；該發明授權半導體超薄堆疊結構的制造方法是由邱志威設計研發完成，并于2021-05-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體超薄堆疊結構的制造方法在說明書摘要公布了：一種半導體超薄堆疊結構的制造方法，包含以離子注入形成停止層結構于半導體基板內，再于半導體基板的主動面設置電氣元件及內連層，以形成半導體晶圓；將兩半導體晶圓的內連層相對且上下接合在一起；以背面研磨及薄化制程自上方半導體晶圓的背面去除上方半導體晶圓的部分半導體基板及停止層結構，使上方半導體晶圓形成薄化半導體晶圓，之后逐一在薄化半導體晶圓進行另一半導體晶圓的接合、背面研磨及薄化制程，而逐一往上堆疊另一薄化半導體晶圓，最后對最下方半導體晶圓進行背面研磨及薄化制程。此制造方法可堆疊多層薄化半導體晶圓，滿足高積集度要求。

本發明授權半導體超薄堆疊結構的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體超薄堆疊結構的制造方法，其特征在于，包含：制造多個半導體晶圓，選擇該些半導體晶圓其中之一作為底層的一第一半導體晶圓，其他部分的該些半導體晶圓則作為待堆疊的一第二半導體晶圓及至少一第三半導體晶圓，每一該些半導體晶圓的制造步驟包含：提供一半導體基板，具有相對的一主動面及一背面；形成一停止層結構于該半導體基板內，將該半導體基板分為一基板第一部分及一基板第二部分，其中該基板第一部分位于該停止層結構及該主動面之間，該基板第二部分位于該停止層結構及該背面之間，該停止層結構至少包含一氮化硅層，該氮化硅層的制造包含先于該半導體基板的一第一深度進行一氮離子注入制程，接著進行一高溫處理制程，使該氮離子注入的區域形成該氮化硅層；以及于該主動面設置多個電氣元件以及一內連層，該內連層包含多個互連接點，并于該基板第一部分設置多個導電結構連接該內連層及該停止層結構；將該第二半導體晶圓相對于該第一半導體晶圓倒裝，使該第一半導體晶圓的該內連層及該第二半導體晶圓的該內連層相對且以一混合鍵合技術接合在一起；進行一第一背面研磨制程，自該第二半導體晶圓的該背面進行研磨，以移除該第二半導體晶圓的該基板第二部分的一部分；進行一第一薄化制程，以形成一薄化第二半導體晶圓；進行一第二背面研磨制程，自該第一半導體晶圓的背面進行研磨，以移除該第一半導體晶圓的該基板第二部分的一部分；以及進行一第二薄化制程，以形成一薄化第一半導體晶圓，其中，該第一薄化制程及該第二薄化制程包含：一基板去除步驟，移除剩余的該基板第二部分，以顯露該停止層結構；以及一停止層去除步驟，移除該停止層結構，以顯露該基板第一部分及該些導電結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人邱志威，其通訊地址為：中國臺灣新竹縣竹北市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。