恭喜日產化學株式會社水落龍太獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜日產化學株式會社申請的專利包含乙內酰脲化合物的反應產物的抗蝕劑下層膜形成用組合物獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116157447B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202180060511.0,技術領域涉及:G03F7/11;該發明授權包含乙內酰脲化合物的反應產物的抗蝕劑下層膜形成用組合物是由水落龍太;加藤祐希;田村護設計研發完成,并于2021-07-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本包含乙內酰脲化合物的反應產物的抗蝕劑下層膜形成用組合物在說明書摘要公布了:本發明提供能夠形成所期望的抗蝕劑圖案的抗蝕劑下層膜形成用組合物、以及使用了該抗蝕劑下層膜形成用組合物的抗蝕劑圖案制造方法、半導體裝置的制造方法。該抗蝕劑下層膜形成用組合物包含反應產物、及有機溶劑,所述反應產物是A具有2個環氧基的含乙內酰脲的化合物和B與A不同的含乙內酰脲的化合物的反應產物。優選上述反應產物是B含乙內酰脲的化合物所具有的仲氨基與A含乙內酰脲的化合物所具有的環氧基的反應產物。
本發明授權包含乙內酰脲化合物的反應產物的抗蝕劑下層膜形成用組合物在權利要求書中公布了:1.一種抗蝕劑下層膜形成用組合物,其包含反應產物、及有機溶劑,所述反應產物是A具有2個環氧基的含乙內酰脲的化合物和B與A不同的含乙內酰脲的化合物的反應產物,所述反應產物是B含乙內酰脲的化合物所具有的仲氨基與A含乙內酰脲的化合物所具有的環氧基的反應產物,所述A化合物由式A-1表示,所述B化合物由式B-1表示: 式A-1及式B-1中,T1、T2、T3和T4各自獨立地表示氫原子、可以被氧原子或硫原子中斷且可以被羥基取代的碳原子數為1~10的烷基、可以被羥基取代的碳原子數為6~40的芳基或碳原子數為3~6的烯基。
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