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龍圖騰網恭喜三菱電機株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114447110B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111291396.6，技術領域涉及：H10D64/27；該發明授權半導體裝置是由佐藤克己設計研發完成，并于2021-11-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：得到能夠提高寄生二極管的通電性能的半導體裝置。多個第一控制電極8在俯視觀察時在第一方向上延伸，多個第二控制電極11在俯視觀察時在第二方向上延伸。將與多個第一控制電極8相對的半導體基板1的表面處的第二半導體層3和多個第三半導體層4間的邊界線的第一方向上的長度的總和設為第一柵極總寬度ΣG1W。將與多個第二控制電極11相對的半導體基板1的表面處的第四半導體層5和多個第五半導體層6間的邊界線的第二方向上的長度的總和設為第二柵極總寬度ΣG2W。將第二柵極總寬度ΣG2W除以第一柵極總寬度ΣG1W而得到的柵極寬度比ΣG2WΣG1W大于或等于1.0。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：半導體基板，其具有彼此相對的第一及第二主面；第一導電型的第一半導體層，其設置于所述半導體基板的所述第一主面和所述第二主面之間；第二導電型的第二半導體層，其設置于所述第一半導體層和所述第一主面之間；第一導電型的多個第三半導體層，它們選擇性地設置于所述第二半導體層的表面；第二導電型的第四半導體層，其設置于所述第一半導體層和所述第二主面之間；第一導電型的多個第五半導體層，它們選擇性地設置于所述第四半導體層的表面；第一主電極，其設置于所述第一主面之上，與所述第二及第三半導體層連接；第二主電極，其設置于所述第二主面之上，與所述第四及第五半導體層連接；多個第一控制電極，它們與電信號對應地分別對所述第一半導體層和所述多個第三半導體層之間的導通和非導通進行切換；以及多個第二控制電極，它們與電信號對應地分別對所述第一半導體層和所述多個第五半導體層之間的導通和非導通進行切換，所述多個第一控制電極在俯視觀察時為在第一方向上延伸的條帶狀，所述多個第二控制電極在俯視觀察時為在第二方向上延伸的條帶狀，將與所述多個第一控制電極相對的所述半導體基板的表面處的所述第二半導體層和所述多個第三半導體層之間的邊界線的所述第一方向上的長度的總和設為第一柵極總寬度，將與所述多個第二控制電極相對的所述半導體基板的表面處的所述第四半導體層和所述多個第五半導體層之間的邊界線的所述第二方向上的長度的總和設為第二柵極總寬度，將所述第二柵極總寬度除以所述第一柵極總寬度而得到的柵極寬度比大于或等于1.0，所述多個第一控制電極為溝槽柵極構造，所述半導體基板的所述第一主面側的區域被所述多個第一控制電極的溝槽分割為多個臺面部，所述多個臺面部具有：單元部，其包含與所述第一主電極連接的所述第三半導體層；以及啞單元部，其不包含與所述第一主電極連接的所述第三半導體層或不包含所述第三半導體層，相鄰的所述單元部的間隔為從所述第二半導體層至所述第四半導體層為止的最短距離的四十分之一至二十分之一。

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