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龍圖騰網恭喜吳靜雯申請的專利高功率密度超散熱性芯片對稱堆疊封裝結構及其封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114242699B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111507113.7，技術領域涉及：H01L25/07；該發明授權高功率密度超散熱性芯片對稱堆疊封裝結構及其封裝方法是由吳靜雯設計研發完成，并于2021-12-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本高功率密度超散熱性芯片對稱堆疊封裝結構及其封裝方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種高功率密度超散熱性芯片對稱堆疊封裝結構及其封裝方法，所述堆疊封裝結構包括上雙面覆銅板、下雙面覆銅板、第一芯片、第二芯片、第一銅夾、第二銅夾、引腳和塑封體，第一芯片的集電極焊接在上雙面覆銅板的內表面，第二芯片的集電極焊接在下雙面覆銅板的內表面，第一銅夾的一端焊接在下雙面覆銅板的內表面上，第一芯片的發射極焊接在第一銅夾的上表面上，第二芯片的發射極焊接在第一銅夾的下表面上。本申請基于現有產品結構進行創新優化，開發一種全新芯片對稱結構，實現垂直對稱性快速散熱，具有性能更穩定、功率密度更大、散熱性更好、可靠性更高、功耗更小的優點，產品體積更小、物料使用更少、成本更低，組裝流程更加簡單高效。

本發明授權高功率密度超散熱性芯片對稱堆疊封裝結構及其封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種高功率密度超散熱性芯片對稱堆疊封裝結構，其特征在于，包括上雙面覆銅板、下雙面覆銅板、第一芯片、第二芯片、第一銅夾、第二銅夾、引腳和塑封體，所述第一芯片的集電極焊接在上雙面覆銅板的內表面，所述第二芯片的集電極焊接在下雙面覆銅板的內表面，所述第一銅夾的一端焊接在下雙面覆銅板的內表面上，所述第一芯片的發射極焊接在第一銅夾的上表面上，所述第二芯片的發射極焊接在第一銅夾的下表面上；所述第二銅夾的一端焊接在下雙面覆銅板的內表面上，所述第一芯片的柵極焊接在第二銅夾的上表面上，所述第二芯片的柵極焊接在第二銅夾的下表面上，所述引腳焊接在下雙面覆銅板的內表面上，并通過下雙面覆銅板上的電路與第一芯片、第二芯片的集電極、發射極和柵極電連接，所述塑封體用于包裹第一芯片、第二芯片、第一銅夾、第二銅夾和引腳的內側部分；所述第一芯片和第二芯片為同一種芯片，且第一芯片和第二芯片上下完全對稱堆疊布置。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人吳靜雯，其通訊地址為：513042 廣東省清遠市英德市望埠鎮橋新村委會寺前吳屋組；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。