買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜上海華力集成電路制造有限公司申請的專利無定型硅層的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114899084B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210394294.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)無定型硅層的制造方法是由相廣欣;魏想設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-04-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本無定型硅層的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種無定型硅層的制造方法包括如下步驟：步驟一、采用PECVD工藝在前層結(jié)構(gòu)上形成二氧化硅層；步驟二、對二氧化硅層的表面做等離子體熱處理使二氧化硅層的懸掛H鍵的H釋放并對H釋放后的懸掛鍵進(jìn)行鈍化；步驟三、采用CVD沉積工藝在二氧化硅層表面形成無定型硅層。本發(fā)明能提高無定型硅層和底部二氧化硅層之間的粘附性。

本發(fā)明授權(quán)無定型硅層的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種無定型硅層的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟一、提供形成有前層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底，采用PECVD工藝在所述前層結(jié)構(gòu)上形成二氧化硅層；PECVD工藝使所述二氧化硅層的表面具有懸掛H鍵；步驟二、對所述二氧化硅層的表面做等離子體熱處理，采用所述等離子體熱處理使所述二氧化硅層的所述懸掛H鍵的H釋放并對H釋放后的懸掛鍵進(jìn)行鈍化；步驟三、采用CVD沉積工藝在所述二氧化硅層表面形成無定型硅層，利用所述二氧化硅層表面的H被去除且懸掛鍵被鈍化的特征，防止所述無定型硅層沉積過程中的H擴(kuò)散到所述二氧化硅層表面并和所述二氧化硅層表面的H結(jié)合形成氫氣，從而提高所述無定型硅層和所述二氧化硅層的粘附性。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海華力集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201315 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)康橋東路298號1幢1060室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。