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龍圖騰網(wǎng)恭喜電子科技大學(xué)申請(qǐng)的專(zhuān)利一種具有NP堆疊漂移區(qū)的IGBT獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114975592B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202210479793.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)一種具有NP堆疊漂移區(qū)的IGBT是由陳萬(wàn)軍;夏云;程崢;孫瑞澤;劉超;鄭崇芝;張波設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-05-05向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種具有NP堆疊漂移區(qū)的IGBT在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種具有NP堆疊漂移區(qū)的IGBT。本發(fā)明將IGBT的耐壓層設(shè)置為由N型漂移區(qū)4和P型漂移區(qū)5通過(guò)上下堆疊的形式，形成NP堆疊漂移區(qū)，從而NP疊型漂移區(qū)使器件內(nèi)部形成了一個(gè)肖克來(lái)Shockley二極管結(jié)構(gòu)，此肖克來(lái)二極管由一個(gè)PNP晶體管發(fā)射極：P+集電極，基極：N型場(chǎng)截止層，集電極：P型漂移區(qū)和一個(gè)NPN晶體管發(fā)射極：N型載流子存儲(chǔ)層，基極：P型漂移區(qū)，集電極：N型漂移區(qū)構(gòu)成，從而實(shí)現(xiàn)了更好的導(dǎo)通壓降與關(guān)斷損耗的折中關(guān)系。

本發(fā)明授權(quán)一種具有NP堆疊漂移區(qū)的IGBT在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種具有NP堆疊漂移區(qū)的IGBT，其半元胞包括集電極結(jié)構(gòu)、耐壓層結(jié)構(gòu)、發(fā)射極結(jié)構(gòu)和柵極結(jié)構(gòu)，其中耐壓層結(jié)構(gòu)位于集電極結(jié)構(gòu)之上，發(fā)射極結(jié)構(gòu)和柵極結(jié)構(gòu)位于耐壓層結(jié)構(gòu)之上：所述集電極結(jié)構(gòu)包括集電極金屬1、P+集電極區(qū)2和N型場(chǎng)截止層3；所述集電極金屬1的下表面引出端為器件的集電極C；所述P+集電極區(qū)2位于集電極金屬1的上表面；所述N型場(chǎng)截止層3位于P+集電極區(qū)2的上表面；所述發(fā)射極結(jié)構(gòu)包括N型載流子存儲(chǔ)層6、P型阱區(qū)7、N型發(fā)射極區(qū)9、P型體接觸區(qū)8以及發(fā)射極金屬10；所述N型載流子存儲(chǔ)層6位于耐壓層結(jié)構(gòu)上表面；所述P型阱區(qū)7位于N型載流子存儲(chǔ)層6上表面；所述N型發(fā)射極區(qū)9和P型體接觸區(qū)8位于P型阱區(qū)7上表面；所述發(fā)射極金屬10的下表面同時(shí)與N型發(fā)射極區(qū)9和P型體接觸區(qū)8的上表面接觸，發(fā)射極金屬10上表面的引出端為器件的發(fā)射極E；所述柵極結(jié)構(gòu)為溝槽柵結(jié)構(gòu)，包括絕緣介質(zhì)12和導(dǎo)電材料11；所述導(dǎo)電材料11位于絕緣介質(zhì)12內(nèi)，其引出端為器件的柵極G；所述絕緣介質(zhì)12從器件表面垂直穿過(guò)P型阱區(qū)7與N型載流子存儲(chǔ)層6，其側(cè)面與N型載流子存儲(chǔ)層6、P型阱區(qū)7、N型發(fā)射極區(qū)9接觸；其特征在于，所述耐壓層包括N型漂移區(qū)4和P型漂移區(qū)5，兩者呈現(xiàn)上下堆疊的形式，形成NP堆疊漂移區(qū)；所述N型漂移區(qū)4的下表面與N型場(chǎng)截止層3的上表面接觸，N型漂移區(qū)4的上表面與P型漂移區(qū)5的下表面接觸；所述P型漂移區(qū)5的上表面同時(shí)與絕緣介質(zhì)12的下表面和側(cè)面以及N型載流子存儲(chǔ)層6的下表面接觸。

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