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龍圖騰網恭喜浙江大學申請的專利一種減少閃爍噪聲上變頻的翻轉互補低噪聲壓控振蕩器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114900129B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210545578.X，技術領域涉及：H03B5/12；該發明授權一種減少閃爍噪聲上變頻的翻轉互補低噪聲壓控振蕩器是由徐志偉;李泉涌;陳姜波;杜立康;王圣杰;宋春毅設計研發完成，并于2022-05-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種減少閃爍噪聲上變頻的翻轉互補低噪聲壓控振蕩器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種減少閃爍噪聲上變頻的翻轉互補低噪聲壓控振蕩器。在雷達技術應用中，壓控振蕩器的電壓頻率增益過大，使得低頻噪聲影響了相位噪聲。本發明通過提出的翻轉互補結構以及尾電感，使得壓控振蕩器獲得更大的跨導，抑制了噪聲，實現減少閃爍噪聲上變頻的功能。與傳統技術使用單個互耦對相比，本發明提出的翻轉互補結構對電流進行復用，提升性能的同時節省整體功耗，且結構簡單；與傳統的互補結構相比，本發明提出的壓控振蕩器減少了閃爍噪聲上變頻，改善了相位噪聲。基于本發明可進一步產生IQ正交差分信號的電路，以及襯底注入形式的翻轉互補低噪聲壓控振蕩器和對應的產生IQ正交差分信號的電路。

本發明授權一種減少閃爍噪聲上變頻的翻轉互補低噪聲壓控振蕩器在權利要求書中公布了：1.一種減少閃爍噪聲上變頻的翻轉互補低噪聲壓控振蕩器，其特征在于包括：電感L1，電感L2，電感L3，電容陣列C1，可變電容C2，電容C3，電容C4，可變電容C5，電容陣列C6，NMOS管M1，NMOS管M2，PMOS管M3，PMOS管M4，以及端口OUTP，端口OUTN；電感L1和電容陣列C1，可變電容C2并聯，NMOS管M1和NMOS管M2組成NMOS互耦對，NMOS管M1的漏極與NMOS管M2的柵極相接再與電感L1的a端連接，NMOS管M2的漏極與NMOS管M1的柵極相接再與電感L1的b端連接；電感L3和可變電容C5，電容陣列C6并聯，PMOS管M3和PMOS管M4組成PMOS互耦對，PMOS管M3的漏極與PMOS管M4的柵極相接再與電感L3的a端連接，PMOS管M4的漏極與PMOS管M3的柵極相接再與電感L3的b端連接；NMOS管M1和NMOS管M2的源級相接再與電感L2的a端連接，PMOS管M3和PMOS管M4的源級相接再與電感L2的b端連接，電容C3的a端與NMOS管M1的漏極連接，電容C3的b端與PMOS管M3的漏極連接，電容C4的a端與NMOS管M2的漏極連接，電容C4的b端與PMOS管M4的漏極連接，電感L1的中心抽頭接供電電源，電感L3的中心抽頭接地，端口OUTP與NMOS管M1的漏極連接，端口OUTN與NMOS管M2的漏極連接，差分信號從端口OUTP，端口OUTN流出；其中，NMOS管M1和NMOS管M2相同，電容陣列C1和電容陣列C6相同，可變電容C2和可變電容C5相同，電容C3和電容C4相同，PMOS管M3和PMOS管M4相同。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江大學，其通訊地址為：310058 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。