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龍圖騰網恭喜湖南融創微電子有限公司申請的專利一種NVM存儲單元獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115172377B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210819854.7，技術領域涉及：H10B41/35；該發明授權一種NVM存儲單元是由蔡磊;陳強;楊國慶;劉祥遠;傅祎暉;肖海鵬設計研發完成，并于2022-07-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種NVM存儲單元在說明書摘要公布了：本發明適用于存儲技術領域，提供了一種NVM存儲單元，其包括襯底、設置于所述襯底上的四個子單元模塊以及PN結二極管，每個所述子單元模塊均包括一個NMOS管以及一個第一端與所述NMOS管的柵極連接N阱電容，四個所述子單元模塊中的所述N阱電容以及所述PN結二極管共用一個N阱。本發明中NVM存儲單元的PN結二極管可以在N阱反偏偏置下提供空穴，避免N阱電容在編程時進入深耗盡區，以提高編程的效率并降低編程電壓，從而降低編程高壓對NVM存儲單元的尺寸要求，進而縮小NVM存儲單元的面積，使其適用于大多數芯片。

本發明授權一種NVM存儲單元在權利要求書中公布了：1.一種NVM存儲單元，其特征在于，包括襯底、設置于所述襯底上的四個子單元模塊以及PN結二極管，每個所述子單元模塊均包括一個NMOS管以及一個第一端與所述NMOS管的柵極連接N阱電容，四個所述子單元模塊中的所述N阱電容以及所述PN結二極管共用一個N阱；四個所述子單元模塊中的所述NMOS管的漏極分別作為所述NVM存儲單元的四個漏端，四個所述子單元模塊中同列的兩個所述NMOS管的源極連接在一起以作為所述NVM存儲單元的一個源端，四個所述子單元模塊中同行的兩個所述N阱電容的第二端相互連接；所述PN結二極管的正極與第一組同行的兩個所述N阱電容的第二端連接，所述PN結二極管的負極與第二組同行的兩個所述N阱電容的第二端連接在一起以作為所述NVM存儲單元的控制端。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖南融創微電子有限公司，其通訊地址為：410000 湖南省長沙市高新開發區尖山路18號中電軟件園二期A5棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。