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龍圖騰網恭喜昆明理工大學;北京青禾晶元半導體科技有限責任公司申請的專利一種低溫溶液法生長SiC晶體的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116145258B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211106371.9，技術領域涉及：C30B29/36；該發明授權一種低溫溶液法生長SiC晶體的方法是由雷云;鄧幻;雷敏鵬;李鵬;馬文會;母鳳文;郭超設計研發完成，并于2022-09-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種低溫溶液法生長SiC晶體的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種低溫溶液法生長SiC晶體的方法，屬于晶體生長技術領域。將高純硅、金屬Fe或Cr、稀土金屬混合后進行合金化熔煉，熔煉時間5?30min得到成分均勻的Si?Me?RE合金；將Si?Me?RE合金裝入到晶體生長爐中的高純致密石墨坩堝或SiC坩堝中，在熔煉溫度高于1823K以上保溫至少1小時，使C或SiC往高溫熔體中溶解得到SiC飽和的Si?Me?RE?C熔體；在SiC飽和的Si?Me?RE?C熔體進行溶液法生長SiC單晶或多晶SiC。本發明提供的低溫溶液法生長SiC晶體的方法解決了溶液法生長SiC晶體時C或SiC溶解度低的問題，可在低溫下（比現有的PVT方法低至少400K）大幅度提高Si熔體中C或SiC的溶解度，是一種低能耗、低成本、高效率、無污染的生長SiC晶體的方法。

本發明授權一種低溫溶液法生長SiC晶體的方法在權利要求書中公布了：1.一種低溫溶液法生長SiC晶體的方法，其特征在于包括以下步驟：步驟1、將高純硅、金屬Fe或Cr、稀土金屬混合后進行合金化熔煉，熔煉時間5-30min得到成分均勻的Si-Me-RE合金，熔煉氣氛為常壓或負壓下的高純惰性氣體，熔煉溫度高于Si-Me-RE合金的熔點，合金化熔煉方法采用水冷銅坩堝技術或電磁懸浮熔煉技術；步驟2、將步驟1得到的Si-Me-RE合金裝入到晶體生長爐中的高純致密石墨坩堝或SiC坩堝中，在熔煉溫度為1823K或1923K保溫至少1小時，使C或SiC往高溫熔體中溶解得到SiC飽和的Si-Me-RE-C熔體；熔煉氣氛為高純惰性氣體或氫氣與高純惰性氣體的混合氣體，混合氣體中氫氣體積含量≤10％；步驟3、在步驟2得到的SiC飽和的Si-Me-RE-C熔體中進行溶液法生長SiC單晶或多晶SiC；晶體生長方法為常規晶體生長方法，包括但不限于頂部籽晶溶液生長法或坩堝下降法，晶體生長溫度為1823K或1923K，SiC晶體生長氣氛為高純惰性氣體或氫氣與高純惰性氣體的混合氣體，混合氣體中氫氣體積含量≤10％；所述步驟1中Si-Me-RE合金中Me的含量≤35at.％，Me代表Fe或Cr中的一種；RE的總含量為15at.％、30at.％或35at.％，RE代表稀土金屬中的一種或幾種；在保證上述條件下，調整Me、RE和Si三者的配比，使Me、RE和Si三者的總含量為100at.％。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人昆明理工大學;北京青禾晶元半導體科技有限責任公司，其通訊地址為：650093 云南省昆明市五華區學府路253號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。