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龍圖騰網(wǎng)恭喜南京郵電大學(xué)申請(qǐng)的專利一種光突觸晶體管及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115884604B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202211516563.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K10/46；該發(fā)明授權(quán)一種光突觸晶體管及其制作方法是由邵赫;李粵青;凌海峰;解令海;黃維設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-11-30向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種光突觸晶體管及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種光突觸晶體管及其制作方法，以P3HT與鈣鈦礦納米片共混作為半導(dǎo)體層，可以通過簡(jiǎn)單的溶液旋涂法制備，得益于鈣鈦礦納米片的高載流子傳輸效率和高的光吸收系數(shù)，本器件在極低的工作電壓?0.0005V、較弱的光脈沖強(qiáng)度0.4mWcm?2和較短的光照時(shí)間20ms下的單個(gè)突觸功耗僅為0.053fJ，本發(fā)明提供的突觸晶體管可以在弱光條件下實(shí)現(xiàn)低功耗。

本發(fā)明授權(quán)一種光突觸晶體管及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種光突觸晶體管，其特征在于：自下而上包括：柵電極、柵絕緣層、有機(jī)半導(dǎo)體層、源電極和漏電極；所述有機(jī)半導(dǎo)體層由p-型有機(jī)聚合物半導(dǎo)體P3HT和鈣鈦礦納米片CsPbBr3NPLs混合涂覆構(gòu)成，所述有機(jī)半導(dǎo)體層的厚度為20~40nm；所述p-型有機(jī)聚合物半導(dǎo)體P3HT的分子量大于40000；所述鈣鈦礦納米片CsPbBr3NPLs平均尺寸為50nm；其中P3HT與CsPbBr3NPLs的體積比為2:1；所述柵電極采用的材料為選自高摻雜硅、Al、Cu、Au、Ag或Pt中的一種；所述柵絕緣層覆蓋在整個(gè)柵電極表面，所述柵絕緣層采用的材料為氧化硅和聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，所述氧化硅直接覆蓋于柵電極上，PMMA層的厚度為20~40nm；所述源電極和漏電極生長在導(dǎo)電溝道兩側(cè)，其采用的材料為Cu、Au或Pt中的一種，其厚度為60~100nm，所述源電極和漏電極之間導(dǎo)電溝道的長為50~200μm，所述源電極和漏電極之間導(dǎo)電溝道的寬為1000~2000μm。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人南京郵電大學(xué)，其通訊地址為：210003 江蘇省南京市鼓樓區(qū)新模范馬路66號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。