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龍圖騰網恭喜深圳大學申請的專利立體氮化鎵基CMOS反相器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118412354B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410197161.8，技術領域涉及：H10D84/05；該發明授權立體氮化鎵基CMOS反相器及其制備方法是由劉新科;林錦沛;黃燁瑩;蔣忠偉;黎曉華設計研發完成，并于2024-02-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本立體氮化鎵基CMOS反相器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種立體氮化鎵基CMOS反相器及其制備方法，CMOS反相器包括：立體襯底、在立體襯底的外表面間隔設置的若干器件、覆蓋器件和立體襯底暴露的表面的互聯介質層；互聯介質層內部以及外部固定有若干互聯金屬；器件包括間隔設置的NMOS器件和PMOS器件，一互聯金屬電性連接NMOS器件的柵極與PMOS器件的柵極，且引出至互聯介質層外；NMOS器件的源極通過一互聯金屬引出至互聯介質層外；NMOS器件的漏極與PMOS器件的漏極電性連接。本發明中的CMOS反相器解放了CMOS反相器的熱限制，通過立體襯底上間隔設置若干器件，形成了集成度高、功率密度大、電流密度大以及支持更高頻率的CMOS反相器，使CMOS反相器的應用范圍更廣。

本發明授權立體氮化鎵基CMOS反相器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.立體氮化鎵基CMOS反相器，其特征在于，包括：立體襯底、在所述立體襯底的外表面間隔設置的若干器件、覆蓋所述器件和所述立體襯底暴露的表面的互聯介質層；所述立體襯底呈球體、多面體或圓柱體狀，所述立體襯底采用金剛石或氮化硼襯底；所述互聯介質層內部以及外部固定有若干互聯金屬；所述器件包括間隔設置的NMOS器件和PMOS器件，一所述互聯金屬電性連接所述NMOS器件的柵極與所述PMOS器件的柵極，且引出至所述互聯介質層外；所述NMOS器件的源極通過一所述互聯金屬引出至所述互聯介質層外；所述PMOS器件的源極通過一所述互聯金屬引出至所述互聯介質層外；所述NMOS器件的漏極與所述PMOS器件的漏極電性連接；所述NMOS器件包括第一介質層、第一GaN緩沖層、p-GaN溝道層、至少兩個n-GaN阱層、第一柵介質層、NMOS源極、NMOS漏極和NMOS柵極；所述第一介質層設置于所述立體襯底表面；所述第一GaN緩沖層設置于所述第一介質層上背離所述立體襯底一側的表面；所述p-GaN溝道層設置于所述第一GaN緩沖層背離所述第一介質層一側的表面；所述n-GaN阱層間隔設置于所述p-GaN溝道層背離所述第一GaN緩沖層一側的表面；所述第一柵介質層覆蓋于兩所述n-GaN阱層之間且覆蓋部分所述n-GaN阱層；所述NMOS源極和所述NMOS漏極分別設置于兩所述n-GaN阱層表面；所述NMOS柵極設置于所述第一柵介質層表面。

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