恭喜通威微電子有限公司鄧歡獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜通威微電子有限公司申請的專利一種可主動維持溫度梯度的石墨坩堝及碳化硅制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119372771B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411542901.3，技術領域涉及：C30B23/00；該發明授權一種可主動維持溫度梯度的石墨坩堝及碳化硅制備方法是由鄧歡設計研發完成，并于2024-10-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種可主動維持溫度梯度的石墨坩堝及碳化硅制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種可主動維持溫度梯度的石墨坩堝及碳化硅制備方法，涉及碳化硅晶體生長設備領域。該可主動維持溫度梯度的石墨坩堝包括主體及蓋體，主體具有頂部開口的生長腔室，蓋體選擇性封蓋生長腔室，生長腔室具有底部粉料區與頂部生長區，底部粉料區用于盛放碳化硅粉料；主體的側壁內設置有延伸趨勢向下的第一流道，第一流道具有用于引入換熱介質的第一輸入口，以及用于排出換熱介質的第一輸出口；第一流道包括處于第一輸入口與第一輸出口之間的頂部螺旋段，頂部螺旋段包圍頂部生長區的周側。因此，本發明提供的可主動維持溫度梯度的石墨坩堝能夠主動維持軸向溫度梯度，保證碳化硅晶體持續正常生長。
本發明授權一種可主動維持溫度梯度的石墨坩堝及碳化硅制備方法在權利要求書中公布了：1.一種可主動維持溫度梯度的石墨坩堝，其特征在于，包括主體110及蓋體120，所述主體110具有頂部開口的生長腔室，所述蓋體120選擇性封蓋所述生長腔室，所述生長腔室具有底部粉料區111與頂部生長區112，所述底部粉料區111用于盛放碳化硅粉料200；所述主體110的側壁內設置有第一流道130，所述第一流道130具有用于引入換熱介質的第一輸入口131，以及用于排出換熱介質的第一輸出口132，由所述第一輸入口131至所述第一輸出口132，所述第一流道130的延伸趨勢向下；所述第一流道130包括處于所述第一輸入口131與所述第一輸出口132之間的頂部螺旋段133，所述頂部螺旋段133包圍所述頂部生長區112的周側。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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