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龍圖騰網恭喜橫店集團東磁股份有限公司申請的專利一種存在邊緣繞鍍層的TBC太陽能電池的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119153587B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411641021.1，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種存在邊緣繞鍍層的TBC太陽能電池的制備方法是由吳成坤;徐君;任勇;陳德爽設計研發完成，并于2024-11-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種存在邊緣繞鍍層的TBC太陽能電池的制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及太陽能電池領域，公開了一種存在邊緣繞鍍層的TBC太陽能電池的制備方法。本發明通過特殊的“直接氧化?間接沉積?高溫退火”+“高溫致密化+硼摻雜”組合工藝在硅片邊緣預構建絕緣介質膜使邊緣繞鍍區域與硅片基底絕緣隔離，因此即使成品TBC太陽能電池的邊緣存在繞鍍層，繞鍍部分也不會有較大漏電產生；其次，該絕緣介質膜還具有優異的鈍化效果，可進一步鈍化硅片側面區域，有利于提升電池的電學性能。最后，與常規TBC太陽能電池的邊緣全部為金字塔絨面相比，本發明硅片邊緣部分為金字塔絨面，部分為拋光面，邊緣絨面狀硅片在外力作用下更容易引起硅片碎片，而拋光面則更加有助于提高電池片良率。

本發明授權一種存在邊緣繞鍍層的TBC太陽能電池的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種存在邊緣繞鍍層的TBC太陽能電池的制備方法，其特征在于包括：S1、硅片雙面拋光；S2、將硅片層狀堆疊為硅片組合；S3、通入N2O，使硅片組合的四個邊緣淺表面直接氧化為厚12nm的第一氧化硅層；通入SiH4、N2O，在第一氧化層表面間接沉積厚180nm的第二氧化硅層，兩者組合構成絕緣介質膜；S4、背面去氧化層；S5、背面沉積隧穿氧化層、本征多晶硅層；S6、兩步通源硼擴散，使本征多晶硅層轉為硼擴散層和BSG層，使絕緣介質膜致密化和硼摻雜；一步通源：BCl3流量200sccm，O2流量1200sccm，溫度850℃，時間10min；氧化推進：O2流量7000sccm，溫度950℃，時間30min；二步通源：BCl3流量70sccm，O2流量500sccm，溫度860℃，時間25min；S7、去除磷擴散區和隔離區的BSG層；S8、堿清洗；S9、背面沉積隧穿氧化層、本征多晶硅層；S10、磷擴散，使本征多晶硅層轉為磷擴散層和PSG層；S11、去除硼擴散區和隔離區的PSG層；S12、去繞鍍；S13、清洗制絨；S14、雙面鍍膜；S15、絲網印刷，燒結，光注入。

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