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龍圖騰網(wǎng)恭喜山西創(chuàng)芯光電科技有限公司申請的專利一種提升大面陣紅外探測器拋光后表面潔凈度的清洗方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119588675B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510138010.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B08B3/02；該發(fā)明授權(quán)一種提升大面陣紅外探測器拋光后表面潔凈度的清洗方法是由王慧云;張培峰;王書浩;李水利;張竟;蘇瑩設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-02-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種提升大面陣紅外探測器拋光后表面潔凈度的清洗方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種提升大面陣紅外探測器拋光后表面潔凈度的清洗方法，屬于紅外探測器制備技術(shù)領(lǐng)域；解決了傳統(tǒng)清洗工藝存在殘留物導(dǎo)致盲元增加的問題；包括以下步驟：在紅外探測器芯片拋光后未取片時通過水霧沖洗紅外探測器芯片拋光后的表面；在取片后，將紅外探測器芯片放置在清洗工裝中，通過洗滌劑結(jié)合DI水對紅外探測器芯片進行擦洗；通過DI水沖洗紅外探測器芯片表面；使用堿性清洗劑擦洗紅外探測器芯片表面；采用DI水沖洗紅外探測器芯片表面；采用有機溶劑與兆聲清洗相結(jié)合的方式清洗紅外探測器芯片表面；本發(fā)明應(yīng)用于Ⅱ類超晶格紅外探測器拋光后表面清洗。

本發(fā)明授權(quán)一種提升大面陣紅外探測器拋光后表面潔凈度的清洗方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種提升大面陣紅外探測器拋光后表面潔凈度的清洗方法，其特征在于：包括以下步驟：步驟S1：針對1～3μm的顆粒污染物，在紅外探測器芯片拋光后未取片時通過水霧沖洗紅外探測器芯片拋光后的表面；步驟S2：針對0.2~1μm的顆污染物，在取片后，將紅外探測器芯片放置在清洗工裝中，通過洗滌劑結(jié)合DI水對紅外探測器芯片進行擦洗，后續(xù)清洗步驟S3-S5均在清洗工裝上進行清洗；步驟S3：通過DI水沖洗紅外探測器芯片表面；步驟S4：針對顆粒0.1~0.2μm的污染物，使用堿性清洗劑擦洗紅外探測器芯片表面；步驟S4中堿性清洗劑為：（濃度＜5%的氫氧化鈉溶液，濃度＜5%的碳酸鈉溶液，濃度＜5%的次氯酸鈉溶液，濃度＜5%的谷氨酸二乙酸四鈉溶液）：DI水=5ml：100ml的配比溶液；驟S4中先使用滴管吸取少量配比溶液，沖洗紅外探測器芯片表面2-3次，后佩戴新的無塵潔凈指套，蘸取已配比好的溶液，朝著紅外探測器芯片的一個方向緩慢擦拭拋光后表面，擦拭2-3遍；步驟S5：采用DI水沖洗紅外探測器芯片表面；步驟S6：針對0.1μm的顆粒污染物，采用有機溶劑與兆聲清洗相結(jié)合的方式清洗紅外探測器芯片表面；步驟S6清洗之前先將紅外探測器芯片從清洗工裝上取下，然后將紅外探測器芯片依次經(jīng)過丙酮兆聲清洗、乙醇兆聲清洗和異丙醇兆聲清洗，最后采用N2吹干。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人山西創(chuàng)芯光電科技有限公司，其通訊地址為：030000 山西省太原市小店區(qū)南內(nèi)環(huán)街16號二號廠房一層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。