恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司周歡獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119653781B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510170721.5，技術領域涉及：H10D1/47；該發明授權半導體器件及其制造方法是由周歡;宋富冉;周儒領設計研發完成，并于2025-02-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種半導體器件及其制造方法，半導體器件的制造方法包括：提供襯底，所述襯底上形成有掩膜層，所述掩膜層暴露所述襯底內需要形成高阻結構的區域；采用離子注入工藝于所述區域內注入離子；去除所述掩膜層并進行退火工藝，于所述區域內形成絕緣埋層，并于所述絕緣埋層上形成結晶層，以形成包括所述絕緣埋層和所述結晶層的高阻結構。半導體器件包括襯底和高阻結構，所述高阻結構包括位于所述襯底內的絕緣埋層和位于所述絕緣埋層上的結晶層。本申請通過于襯底內形成高阻結構，提升了高阻結構的阻值統一性，有助于減小后續形成的層間介質層的厚度，降低了半導體器件的寄生電容和器件功耗。
本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底上形成有掩膜層，所述掩膜層暴露所述襯底內需要形成高阻結構的區域；采用離子注入工藝于所述區域內注入離子，通過調整離子注入工藝的離子注入條件實現對于所述高阻結構的阻值調控；去除所述掩膜層并進行退火工藝，于所述區域內形成絕緣埋層，并于所述絕緣埋層上形成結晶層，以形成包括所述絕緣埋層和所述結晶層的高阻結構；于所述高阻結構兩側的所述襯底上形成柵極結構；于所述襯底上形成層間介質層，所述層間介質層覆蓋所述柵極結構和所述區域；于所述層間介質層內形成柵極連接件和高阻連接件，所述柵極連接件貫穿所述層間介質層并連接所述柵極結構，所述高阻連接件貫穿所述層間介質層并連接所述高阻結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號