買(mǎi)專(zhuān)利賣(mài)專(zhuān)利找龍圖騰，真高效！ 查專(zhuān)利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專(zhuān)利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利半導(dǎo)體器件及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119653781B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202510170721.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D1/47；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法是由周歡;宋富冉;周儒領(lǐng)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-02-17向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件及其制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，半導(dǎo)體器件的制造方法包括：提供襯底，所述襯底上形成有掩膜層，所述掩膜層暴露所述襯底內(nèi)需要形成高阻結(jié)構(gòu)的區(qū)域；采用離子注入工藝于所述區(qū)域內(nèi)注入離子；去除所述掩膜層并進(jìn)行退火工藝，于所述區(qū)域內(nèi)形成絕緣埋層，并于所述絕緣埋層上形成結(jié)晶層，以形成包括所述絕緣埋層和所述結(jié)晶層的高阻結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體器件包括襯底和高阻結(jié)構(gòu)，所述高阻結(jié)構(gòu)包括位于所述襯底內(nèi)的絕緣埋層和位于所述絕緣埋層上的結(jié)晶層。本申請(qǐng)通過(guò)于襯底內(nèi)形成高阻結(jié)構(gòu)，提升了高阻結(jié)構(gòu)的阻值統(tǒng)一性，有助于減小后續(xù)形成的層間介質(zhì)層的厚度，降低了半導(dǎo)體器件的寄生電容和器件功耗。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底上形成有掩膜層，所述掩膜層暴露所述襯底內(nèi)需要形成高阻結(jié)構(gòu)的區(qū)域；采用離子注入工藝于所述區(qū)域內(nèi)注入離子，通過(guò)調(diào)整離子注入工藝的離子注入條件實(shí)現(xiàn)對(duì)于所述高阻結(jié)構(gòu)的阻值調(diào)控；去除所述掩膜層并進(jìn)行退火工藝，于所述區(qū)域內(nèi)形成絕緣埋層，并于所述絕緣埋層上形成結(jié)晶層，以形成包括所述絕緣埋層和所述結(jié)晶層的高阻結(jié)構(gòu)；于所述高阻結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；于所述襯底上形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)和所述區(qū)域；于所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成柵極連接件和高阻連接件，所述柵極連接件貫穿所述層間介質(zhì)層并連接所述柵極結(jié)構(gòu)，所述高阻連接件貫穿所述層間介質(zhì)層并連接所述高阻結(jié)構(gòu)。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專(zhuān)利技術(shù)，可聯(lián)系本專(zhuān)利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區(qū)合肥綜合保稅區(qū)內(nèi)西淝河路88號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話(huà)0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。