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龍圖騰網恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體器件的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119698053B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510193451.X，技術領域涉及：H10D64/01；該發明授權半導體器件的制造方法是由莊鵬程;宋富冉;周儒領設計研發完成，并于2025-02-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件的制造方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種半導體器件的制造方法，包括：提供襯底，于所述襯底內的待處理區域形成致密阻擋層；于所述致密阻擋層上的所述襯底內形成第一柵極氧化層，且所述第一柵極氧化層的底部拐角區域延伸至所述致密阻擋層內，并使所述致密阻擋層的頂部拐角區域圓滑；去除部分所述襯底，使所述第一柵極氧化層暴露；于所述第一柵極氧化層上形成第二柵極氧化層，所述第二柵極氧化層至少延伸覆蓋所述第一柵極氧化層兩側的所述襯底。本申請通過于襯底內形成致密阻擋層，阻止了后續注入的氧原子的過度擴散；通過形成底部拐角區域延伸至致密阻擋層內的第一柵極氧化層，并使所述致密阻擋層的頂部拐角區域圓滑，有利于分散電場，減小了半導體器件的漏電流。

本發明授權半導體器件的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：提供襯底，于所述襯底內的待處理區域形成致密阻擋層；于所述致密阻擋層上的所述襯底內形成第一柵極氧化層，且所述第一柵極氧化層的底部拐角區域延伸至所述致密阻擋層內，并使所述致密阻擋層的頂部拐角區域圓滑；去除部分所述襯底，使所述第一柵極氧化層暴露；于所述第一柵極氧化層上形成第二柵極氧化層，所述第二柵極氧化層至少延伸覆蓋所述第一柵極氧化層兩側的所述襯底；其中，于所述致密阻擋層上的所述襯底內形成第一柵極氧化層的過程包括：采用第一離子注入工藝于所述待處理區域內的所述襯底內注入氧原子，以于所述致密阻擋層上形成氧原子注入區；采用第二離子注入工藝于所述氧原子注入區的底部拐角區域再次注入氧原子，使所述氧原子注入區的底部拐角區域形成氧原子富集區，以形成包括所述氧原子注入區和所述氧原子富集區的所述第一柵極氧化層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。