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龍圖騰網恭喜南昌凱迅光電股份有限公司申請的專利一種空間GaInP/GaAs/CuInGaSe三結電池外延片的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109638089B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811416774.7，技術領域涉及：H10F77/124；該發明授權一種空間GaInP/GaAs/CuInGaSe三結電池外延片的制造方法是由萬智;徐培強;林曉珊;張銀橋;汪洋;王向武設計研發完成，并于2018-11-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種空間GaInP/GaAs/CuInGaSe三結電池外延片的制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種空間GaInPGaAsCuInGaSe三結電池外延片的制造方法，其包括雙面拋光的n型GaAs襯底，在所述的GaAs襯底上表面沉積有GaAs歐姆接觸層、GaInP子電池、GaInPAlGaAs隧穿結層、GaAs子電池、GaAs隧穿結層、GaAs緩沖層。所述的GaAs襯底下表面濺射有CuInGaSe子電池,GaInPGaAsCuInGaSe三結電池的帶隙組合為1.9eV1.42eV1.1eV。本發明通過更加優化的帶隙組合，使得三結電池對太陽光譜的利用率進一步提高，從而提升了電池的光電轉化效率。

本發明授權一種空間GaInP/GaAs/CuInGaSe三結電池外延片的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種空間GaInPGaAsCuInGaSe三結電池外延片的制造方法，其特征在于：GaAs襯底為雙面拋光的n型GaAs單晶片，在所述的GaAs襯底上表面從上至下依次沉積有n型GaAs歐姆接觸層、GaInP子電池、GaInPAlGaAs隧穿結層、GaAs子電池、GaAs隧穿結層、GaAs緩沖層，所述的GaAs襯底下表面濺射有CuInGaSe子電池，其中GaInP子電池由n型AlInP窗口層、n型GaInP發射區層、p型GaInP基區層、p型AlGaInP背場層構成，GaAs子電池由n型AlInP窗口層、n型GaAs發射區層、p型GaAs基區層、p型GaInP背場層、p型AlGaAsAlGaInAs反射層構成；CuInGaSe子電池從上至下依次濺射有TCO層、i-ZnO層、CdS緩沖層、CuInGaSe層、Mo層、MoNa層；所述的空間GaInPGaAsCuInGaSe三結電池的帶隙組合為1.9eV1.42eV1.1eV。

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