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龍圖騰網恭喜德州儀器公司申請的專利半導體裝置與燒結納米粒子的連接獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112930588B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980067473.4，技術領域涉及：H01L21/50；該發明授權半導體裝置與燒結納米粒子的連接是由張榮煒;維卡斯·古普塔設計研發完成，并于2019-12-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置與燒結納米粒子的連接在說明書摘要公布了：在所描述的實例中，一種封裝裝置100包含具有裝置安裝表面的襯底101，所述襯底101具有在所述裝置安裝表面上彼此間隔的具有第一厚度的導電凸區103。第一聚合物層105在所述導電凸區103之間安置于所述裝置安裝表面上，所述第一聚合物層105具有等于所述第一厚度的第二厚度。所述導電凸區103具有不被所述第一聚合物層105覆蓋的外表面。第二聚合物層107安置在所述第一聚合物層105上，所述導電凸區103的所述外表面不被所述第二聚合物層107覆蓋。導電納米粒子材料109安置在所述導電凸區103的所述外表面上。第三聚合物層111在所述導電凸區103上的所述導電納米粒子材料109之間安置于所述第二聚合物層107上。至少一個半導體裝置裸片121安裝到所述第三聚合物層111，所述至少一個半導體裝置裸片121具有接合到所述導電納米粒子材料109的電端子123。

本發明授權半導體裝置與燒結納米粒子的連接在權利要求書中公布了：1.一種封裝半導體裝置，其包括：襯底，其具有裝置安裝表面及相對表面，所述襯底具有在所述裝置安裝表面上彼此間隔的具有第一厚度的導電凸區；第一聚合物層，其在所述導電凸區之間并圍繞所述導電凸區位于所述襯底的所述裝置安裝表面上，且具有等于所述導電凸區的所述第一厚度的第二厚度，所述導電凸區具有不被所述第一聚合物層覆蓋的外表面，所述第一聚合物層的外表面與所述導電凸區的外表面形成共同表面；第二聚合物層，其在所述第一聚合物層上，所述第二聚合物層具有第三厚度，所述導電凸區的所述外表面不被所述第二聚合物層覆蓋；導電納米粒子材料，其在所述導電凸區的所述外表面上且具有等于所述第三厚度的第四厚度，所述第二聚合物層的外表面與所述導電納米粒子材料的外表面形成共同表面；第三聚合物層，其在所述導電凸區上的所述導電納米粒子材料之間位于所述第二聚合物層上，所述導電納米粒子材料具有從所述第三聚合物層暴露的表面；及至少一個半導體裝置裸片，其安裝到所述第三聚合物層且具有接合到所述導電納米粒子材料的電端子。

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