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龍圖騰網恭喜全宇昕科技股份有限公司申請的專利金屬氧化物半導體場效晶體管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113130652B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010044859.8，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權金屬氧化物半導體場效晶體管及其制造方法是由徐信佑;陳涌昌;王振煌設計研發完成，并于2020-01-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本金屬氧化物半導體場效晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種金屬氧化物半導體場效晶體管及其制造方法。金屬氧化物半導體場效晶體管包含基材結構、多個摻雜區域、多個溝槽氧化層、多個半導體層結構、介電質層結構及金屬結構。基材結構包含基底層及磊晶層。磊晶層具有多個溝槽。每個溝槽的溝槽深度為X1微米。多個摻雜區域分別形成于多個溝槽的底部。多個溝槽氧化層分別形成于多個溝槽的內壁。每個溝槽氧化層的氧化層厚度為X2微米。X1與X2符合以下關系式：0.05X1≤X2≤0.25X1。多個半導體層結構分別形成于多個溝槽中，以形成多個溝渠式結構。介電質層結構形成于多個半導體層結構上。金屬結構形成于介電質層結構上。借此，金屬氧化物半導體場效晶體管能承受較高的工作電壓、而不會有燒毀的情形發生。

本發明授權金屬氧化物半導體場效晶體管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種金屬氧化物半導體場效晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物半導體場效晶體管包括：一基材結構，其包含：一基底層；及一磊晶層，其形成于所述基底層上，并且所述磊晶層具有自所述磊晶層的相反于所述基底層的一側表面凹設、且彼此間隔地排列的多個溝槽；其中，每個所述溝槽的一溝槽深度為X1微米，并且X1為大于零的實數；多個摻雜區域，其分別形成于多個所述溝槽的底部、且朝著所述磊晶層的部分擴散；多個溝槽氧化層，其分別形成于多個所述溝槽的內壁上，多個所述溝槽氧化層的底部分別抵接于多個所述摻雜區域，并且每個所述溝槽氧化層包圍地形成有一凹槽；其中，每個所述溝槽氧化層的一氧化層厚度為X2微米，并且X2為大于零的實數；其中，在每個所述溝槽及其所對應的溝槽氧化層中，所述溝槽的所述溝槽深度X1是介于7微米至16微米之間，所述溝槽氧化層的所述氧化層厚度X2是介于1.2微米至1.5微米之間，并且X1與X2符合以下關系式：0.075X1≤X2≤0.22X1；多個半導體層結構，其分別形成且填充于多個所述凹槽中，以分別與多個所述溝槽氧化層共同形成為多個溝渠式結構；一介電質層結構，其形成且覆蓋于多個所述半導體層結構上、且位于所述磊晶層的上方；以及一金屬結構，其形成于所述介電質層結構的相反于所述基底層的一側表面上，并且所述金屬結構電性連接于多個所述溝渠式結構中的至少其中一個所述溝渠式結構；其中，所述金屬氧化物半導體場效晶體管適用于通入不小于275伏特且不大于800伏特的一工作電壓。

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