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龍圖騰網恭喜英飛凌科技股份有限公司申請的專利反向阻斷功率半導體器件和處理反向阻斷功率半導體器件的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111816695B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010278050.1，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權反向阻斷功率半導體器件和處理反向阻斷功率半導體器件的方法是由F.D.普菲爾施設計研發完成，并于2020-04-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本反向阻斷功率半導體器件和處理反向阻斷功率半導體器件的方法在說明書摘要公布了：反向阻斷功率半導體器件和處理反向阻斷功率半導體器件的方法。一種反向阻斷功率半導體器件（1）包括：第一負載端子結構（11）和第二負載端子結構（12）；半導體本體（10），其被配置用于在第一負載端子結構（11）與第二負載端子結構（12）之間傳導負載電流；多個控制單元（14），其與第一負載端子結構（11）電連接并且包括：正向阻斷結（103），其被配置用于在反向阻斷功率半導體器件（1）的正向阻斷狀態中阻斷第一負載端子結構（11）與第二負載端子結構（12）之間的正向電壓；以及控制電極（150），其借助于控制電極絕緣層（151）與正向阻斷結（103）分離并且被配置用于在正向阻斷狀態與正向導通狀態之間切換反向阻斷功率半導體器件（1）。

本發明授權反向阻斷功率半導體器件和處理反向阻斷功率半導體器件的方法在權利要求書中公布了：1.一種反向阻斷功率半導體器件1，包括-第一負載端子結構11和第二負載端子結構12；-半導體本體10，被配置用于在第一負載端子結構11與第二負載端子結構12之間傳導負載電流；-多個控制單元14，與第一負載端子結構11電連接并且包括：正向阻斷結103，被配置用于在反向阻斷功率半導體器件1的正向阻斷狀態中阻斷第一負載端子結構11與第二負載端子結構12之間的正向電壓；以及控制電極150，借助于控制電極絕緣層151與正向阻斷結103分離并且被配置用于在正向阻斷狀態與正向導通狀態之間切換反向阻斷功率半導體器件1；-反向阻斷結104，被配置用于在反向阻斷功率半導體器件1的反向阻斷狀態中阻斷第一負載端子結構11與第二負載端子結構12之間的反向電壓；以及-多個溝槽場板160，被布置在多個場板溝槽16中，每個場板溝槽16包括將溝槽場板160中的一個與反向阻斷結104分離的場板絕緣層161，溝槽場板160與第二負載端子結構12電連接，其中場板溝槽16具有場板溝槽深度D，其中多個半導體臺地17形成在場板溝槽16之間，其中半導體臺地17中的每一個的寬度W小于場板溝槽深度D的一半，其中半導體本體10包括-漂移區100，包括第一導電類型的摻雜劑，以及-第一場停止區108，包括比漂移區100高的摻雜劑濃度的第一導電類型的摻雜劑，第一場停止區108至少部分地在場板溝槽16之間延伸。

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