恭喜中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所司志偉獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所申請的專利助熔劑法連續(xù)生長大尺寸高質(zhì)量氮化物單晶的系統(tǒng)及方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN113969422B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202010710019.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:C30B9/10;該發(fā)明授權(quán)助熔劑法連續(xù)生長大尺寸高質(zhì)量氮化物單晶的系統(tǒng)及方法是由司志偉;劉宗亮;徐科設(shè)計研發(fā)完成,并于2020-07-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本助熔劑法連續(xù)生長大尺寸高質(zhì)量氮化物單晶的系統(tǒng)及方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種助熔劑法連續(xù)生長大尺寸高質(zhì)量氮化物單晶的系統(tǒng)及方法。所述系統(tǒng)包括:反應(yīng)生長單元、原料補給單元、廢料回收單元、生長停滯監(jiān)測單元和控制單元,所述反應(yīng)生長單元包括可供反應(yīng)生長氮化物單晶的反應(yīng)腔室,所述原料補給單元和廢料回收單元分別與所述反應(yīng)腔室連接,所述廢料回收單元至少用于將反應(yīng)腔室中的廢料導(dǎo)出,所述生長停滯監(jiān)測單元至少用于對所述氮化物單晶的生長狀態(tài)進行監(jiān)測,以及,所述控制單元還與所述原料補給單元、廢料回收單元、生長停滯監(jiān)測單元連接。本發(fā)明提供的系統(tǒng)具有自動化均勻性補充原料的原料補給單元,通過在生長過程中,不斷補充生長原料,實現(xiàn)氮化鎵單晶的自動連續(xù)均勻生長。
本發(fā)明授權(quán)助熔劑法連續(xù)生長大尺寸高質(zhì)量氮化物單晶的系統(tǒng)及方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種助熔劑法連續(xù)生長大尺寸高質(zhì)量氮化物單晶的系統(tǒng),其特征在于包括反應(yīng)生長單元、原料補給單元、廢料回收單元、生長停滯監(jiān)測單元和控制單元,所述控制單元分別與反應(yīng)生長單元、原料補給單元、廢料回收單元、生長停滯監(jiān)測單元連接;所述反應(yīng)生長單元包括可供反應(yīng)生長氮化物單晶的反應(yīng)腔室,所述原料補給單元和廢料回收單元分別與所述反應(yīng)腔室連通,所述原料補給單元至少用于向所述反應(yīng)腔室提供生長氮化物單晶所需的原料,所述廢料回收單元至少用于將反應(yīng)腔室中的廢料導(dǎo)出;所述原料補給單元包括至少一個原料補給腔室和至少一個供氣裝置,所述原料補給腔室至少用以容置生長氮化物單晶所需的至少一種原料,所述原料補給腔室通過送料管路與所述反應(yīng)腔室連通;所述供氣裝置經(jīng)第一導(dǎo)氣管路與所述原料補給腔室連通,并至少用于向所述原料補給腔室提供惰性氣體,而在所述原料補給腔室與反應(yīng)腔室之間形成第一氣壓差,所述第一氣壓差能夠驅(qū)使所述原料補給腔室中的原料流入所述反應(yīng)腔室;所述廢料回收單元包括至少一個廢料回收腔室和至少一個抽氣裝置,所述廢料回收腔室至少用以容置生長反應(yīng)腔室中廢料,所述廢料回收腔室通過排料管路與所述反應(yīng)腔室連通;所述抽氣裝置經(jīng)第二導(dǎo)氣管路與所述廢料回收腔室連通,并至少用于將所述廢料回收腔室中的氣體抽出,而在所述廢料回收腔室與反應(yīng)腔室之間形成第二氣壓差,所述第二氣壓差能夠驅(qū)使所述反應(yīng)腔室中廢料流入所述廢料回收腔室,通過所述原料補給單元和所述廢料回收單元來實現(xiàn)反應(yīng)腔室內(nèi)用于生長氮化物單晶的原料的連續(xù)補充并確保用于生長氮化物單晶的多種原料之間配比的一致性;所述生長停滯監(jiān)測單元至少用于對所述氮化物單晶的生長狀態(tài)進行監(jiān)測,所述生長停滯監(jiān)測單元包括X射線生長監(jiān)測裝置,所述X射線生長監(jiān)測裝置用于采集反應(yīng)腔室內(nèi)氮化物特征峰的強度信號,根據(jù)氮化物特征峰的強度信號獲取反應(yīng)腔室內(nèi)原料液面與氮化物單晶外延生長面之間的高度差值,并將所述高度差值與設(shè)定的閾值對比,從而判斷氮化物單晶的生長是否停滯,若是,則以廢料回收單元將反應(yīng)腔室內(nèi)的廢料導(dǎo)出和或以原料補給單元向所述反應(yīng)腔室輸入生長氮化物單晶所需的原料,從而使氮化物單晶繼續(xù)生長,若否,則不啟動所述廢料回收單元和或所述原料補給單元;以及所述控制單元至少用于依據(jù)所述生長停滯監(jiān)測單元的監(jiān)測信號而調(diào)控所述原料補給單元、廢料回收單元的工作狀態(tài)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所,其通訊地址為:215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)獨墅湖高教區(qū)若水路398號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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