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龍圖騰網恭喜全球能源互聯網研究院有限公司申請的專利一種高壓功率半導體芯片的封裝結構和封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111710671B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010768651.0，技術領域涉及：H10D80/20；該發明授權一種高壓功率半導體芯片的封裝結構和封裝方法是由王亮;石浩;杜玉杰設計研發完成，并于2020-08-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高壓功率半導體芯片的封裝結構和封裝方法在說明書摘要公布了：一種高壓功率半導體芯片的封裝結構和封裝方法，高壓功率半導體芯片的封裝結構包括：基板；位于所述基板上的高壓功率半導體芯片，所述高壓功率半導體芯片與所述基板相背的一面具有柵極；覆蓋所述高壓功率半導體芯片的第一封裝框蓋，所述第一封裝框蓋具有第一頂板，所述第一頂板中具有柵極預留口；柵極引出部，所述柵極引出部的一端位于所述柵極預留口中且與所述柵極電學連接。所述高壓功率半導體芯片的封裝結構的寄生電感降低。

本發明授權一種高壓功率半導體芯片的封裝結構和封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種高壓功率半導體芯片的封裝結構，其特征在于，包括：基板；位于所述基板上的高壓功率半導體芯片，所述高壓功率半導體芯片與所述基板相背的一面具有柵極；覆蓋所述高壓功率半導體芯片的第一封裝框蓋，所述第一封裝框蓋具有第一頂板，所述第一頂板中具有柵極預留口；所述柵極預留口貫穿所述第一頂板；所述第一頂板中還具有位于所述第一頂板部分厚度的附加槽，所述附加槽的開口背向所述高壓功率半導體芯片，所述附加槽位于所述柵極預留口的側部且與所述柵極預留口連通；所述柵極引出部還位于所述附加槽中；柵極引出部，所述柵極引出部的一端位于所述柵極預留口中且與所述柵極電學連接；所述柵極引出部包括第一引出部和第二引出部，所述第二引出部的一端與所述第一引出部的一端連接，所述第一引出部和所述第二引出部構成“L”形，所述第一引出部位于所述柵極預留口中且與所述柵極電學連接，所述第二引出部位于所述附加槽中；所述柵極引出部的頂面面積大于所述柵極的頂面面積；所述高壓功率半導體芯片的封裝結構還包括：第一測試電極組件，所述第一測試電極組件包括第一電極連接件和與所述第一電極連接件連接的第一主測試電極，所述第一電極連接件位于所述第一封裝框蓋上且分別與所述柵極引出部電學連接；其中，所述柵極引出部的頂面包括測試連接區域，所述測試連接區域用于與第一測試電極組件電學連接；所述測試連接區域的面積為所述柵極的頂面面積的2倍～8倍。

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