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龍圖騰網(wǎng)恭喜全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司申請的專利一種高壓功率半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111710671B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010768651.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D80/20；該發(fā)明授權(quán)一種高壓功率半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法是由王亮;石浩;杜玉杰設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-08-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種高壓功率半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法在說明書摘要公布了：一種高壓功率半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法，高壓功率半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)包括：基板；位于所述基板上的高壓功率半導(dǎo)體芯片，所述高壓功率半導(dǎo)體芯片與所述基板相背的一面具有柵極；覆蓋所述高壓功率半導(dǎo)體芯片的第一封裝框蓋，所述第一封裝框蓋具有第一頂板，所述第一頂板中具有柵極預(yù)留口；柵極引出部，所述柵極引出部的一端位于所述柵極預(yù)留口中且與所述柵極電學(xué)連接。所述高壓功率半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)的寄生電感降低。

本發(fā)明授權(quán)一種高壓功率半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高壓功率半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：基板；位于所述基板上的高壓功率半導(dǎo)體芯片，所述高壓功率半導(dǎo)體芯片與所述基板相背的一面具有柵極；覆蓋所述高壓功率半導(dǎo)體芯片的第一封裝框蓋，所述第一封裝框蓋具有第一頂板，所述第一頂板中具有柵極預(yù)留口；所述柵極預(yù)留口貫穿所述第一頂板；所述第一頂板中還具有位于所述第一頂板部分厚度的附加槽，所述附加槽的開口背向所述高壓功率半導(dǎo)體芯片，所述附加槽位于所述柵極預(yù)留口的側(cè)部且與所述柵極預(yù)留口連通；所述柵極引出部還位于所述附加槽中；柵極引出部，所述柵極引出部的一端位于所述柵極預(yù)留口中且與所述柵極電學(xué)連接；所述柵極引出部包括第一引出部和第二引出部，所述第二引出部的一端與所述第一引出部的一端連接，所述第一引出部和所述第二引出部構(gòu)成“L”形，所述第一引出部位于所述柵極預(yù)留口中且與所述柵極電學(xué)連接，所述第二引出部位于所述附加槽中；所述柵極引出部的頂面面積大于所述柵極的頂面面積；所述高壓功率半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)還包括：第一測試電極組件，所述第一測試電極組件包括第一電極連接件和與所述第一電極連接件連接的第一主測試電極，所述第一電極連接件位于所述第一封裝框蓋上且分別與所述柵極引出部電學(xué)連接；其中，所述柵極引出部的頂面包括測試連接區(qū)域，所述測試連接區(qū)域用于與第一測試電極組件電學(xué)連接；所述測試連接區(qū)域的面積為所述柵極的頂面面積的2倍～8倍。

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