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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114171451B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010948459.X，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構及其形成方法是由金吉松設計研發完成，并于2020-09-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：在基底上形成核心材料層；對核心材料層進行摻雜，適于提高核心材料層的耐刻蝕度，摻雜的核心材料層作為抗刻蝕層，未摻雜的核心材料層作為初始核心層；形成貫穿與抗刻蝕層的側壁相接觸的部分初始核心層的間隙，剩余的初始核心層作為核心層；形成貫穿位于第一側壁和第二側壁之間的部分抗刻蝕層的溝槽；在溝槽的側壁上形成填充間隙的掩膜側墻，位于溝槽側壁的掩膜側墻圍成第一凹槽；形成第二凹槽，貫穿位于第一凹槽和第二側壁上的掩膜側墻之間的抗刻蝕層；去除核心層形成第三凹槽；以掩膜側墻和抗刻蝕層為掩膜，圖形化第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽下方的目標層。本發明實施例提高目標圖形的精度。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括用于形成目標圖形的目標層；在所述基底上形成核心材料層；對所述核心材料層進行離子摻雜，適于提高所述核心材料層的耐刻蝕度，摻雜有離子的所述核心材料層作為抗刻蝕層，未摻雜有離子的所述核心材料層作為初始核心層，所述初始核心層沿第一方向延伸且沿第二方向間隔排列，所述第一方向和第二方向相垂直；形成貫穿與所述抗刻蝕層的側壁相接觸的部分初始核心層的間隙，剩余的所述初始核心層作為核心層，沿所述第二方向相鄰所述核心層相對的側壁分別為第一側壁和第二側壁；形成貫穿位于所述第一側壁和第二側壁之間的部分抗刻蝕層的溝槽，所述溝槽暴露出所述第一側壁，且與位于所述第二側壁上的間隙之間具有間隔；在所述溝槽的側壁上形成掩膜側墻，填充所述間隙，位于所述溝槽側壁的所述掩膜側墻圍成第一凹槽；形成第二凹槽，貫穿位于所述第一凹槽和所述第二側壁上的掩膜側墻之間的抗刻蝕層；去除所述核心層，形成第三凹槽；以所述掩膜側墻和抗刻蝕層為掩膜，圖形化所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽下方的目標層，形成目標圖形。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。