臺灣積體電路制造股份有限公司林士堯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利鰭式場效應晶體管器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112750703B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011187135.5，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權鰭式場效應晶體管器件及其形成方法是由林士堯;高魁佑;林志翰;張銘慶;陳昭成設計研發完成，并于2020-10-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本鰭式場效應晶體管器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開涉及鰭式場效應晶體管器件及其形成方法。一種形成半導體器件的方法包括：形成在襯底上方突出的鰭；在鰭的相反側形成隔離區域；在鰭上方形成虛設柵極電極；去除虛設柵極電極的靠近隔離區域的下部，其中，在去除下部之后，在隔離區域與虛設柵極電極的面向隔離區域的下表面之間存在間隙；用柵極填充材料填充間隙；在填充間隙之后，沿著虛設柵極電極的側壁并沿著柵極填充材料的側壁形成柵極間隔件；以及用金屬柵極替換虛設柵極電極和柵極填充材料。
本發明授權鰭式場效應晶體管器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：形成在襯底上方突出的鰭；在所述鰭的相反側形成隔離區域；在所述鰭上方形成虛設柵極電極；去除所述虛設柵極電極的靠近所述隔離區域的下部，其中，在去除所述下部之后，在所述隔離區域與所述虛設柵極電極的面向所述隔離區域的下表面之間存在間隙；用柵極填充材料填充所述間隙；在填充所述間隙之后，沿著所述虛設柵極電極的側壁并沿著所述柵極填充材料的側壁形成柵極間隔件；以及用金屬柵極替換所述虛設柵極電極和所述柵極填充材料。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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