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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利鰭式場效應(yīng)晶體管器件及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112750703B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011187135.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)鰭式場效應(yīng)晶體管器件及其形成方法是由林士堯;高魁佑;林志翰;張銘慶;陳昭成設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-10-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本鰭式場效應(yīng)晶體管器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開涉及鰭式場效應(yīng)晶體管器件及其形成方法。一種形成半導體器件的方法包括：形成在襯底上方突出的鰭；在鰭的相反側(cè)形成隔離區(qū)域；在鰭上方形成虛設(shè)柵極電極；去除虛設(shè)柵極電極的靠近隔離區(qū)域的下部，其中，在去除下部之后，在隔離區(qū)域與虛設(shè)柵極電極的面向隔離區(qū)域的下表面之間存在間隙；用柵極填充材料填充間隙；在填充間隙之后，沿著虛設(shè)柵極電極的側(cè)壁并沿著柵極填充材料的側(cè)壁形成柵極間隔件；以及用金屬柵極替換虛設(shè)柵極電極和柵極填充材料。

本發(fā)明授權(quán)鰭式場效應(yīng)晶體管器件及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：形成在襯底上方突出的鰭；在所述鰭的相反側(cè)形成隔離區(qū)域；在所述鰭上方形成虛設(shè)柵極電極；去除所述虛設(shè)柵極電極的靠近所述隔離區(qū)域的下部，其中，在去除所述下部之后，在所述隔離區(qū)域與所述虛設(shè)柵極電極的面向所述隔離區(qū)域的下表面之間存在間隙；用柵極填充材料填充所述間隙；在填充所述間隙之后，沿著所述虛設(shè)柵極電極的側(cè)壁并沿著所述柵極填充材料的側(cè)壁形成柵極間隔件；以及用金屬柵極替換所述虛設(shè)柵極電極和所述柵極填充材料。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。