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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利一種接觸孔制備方法、半導體結構及電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116133364B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110906602.3，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權一種接觸孔制備方法、半導體結構及電子設備是由李冉;馬經綸;段蕾蕾;韓欣茹設計研發完成，并于2021-08-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種接觸孔制備方法、半導體結構及電子設備在說明書摘要公布了：本發明公開了一種接觸孔制備方法、半導體結構及電子設備，所述方法，包括：在半導體結構的第一氧化層上端面生成掩膜層，在所述掩膜層上曝光出目標接觸孔圖形；按照所述目標接觸孔圖形對所述第一氧化層進行刻蝕，以裸露出所述目標接觸孔位置對應的接觸層上端面，以及所述目標接觸孔位置對應的上層結構上端面；在刻蝕后表面沉積第二絕緣層，并在所述第二絕緣層之上沉積第二氧化層；去除所述第一氧化層上端面以上部分的第二絕緣層和第二氧化層，并從裸露出的所述接觸層上端面向下刻蝕以去除部分所述接觸層，以及從裸露出的所述上層結構上端面向下刻蝕以裸露出第零層接觸上端面。

本發明授權一種接觸孔制備方法、半導體結構及電子設備在權利要求書中公布了：1.一種接觸孔制備方法，其特征在于，應用于半導體結構，所述半導體結構包括陣列區和外圍區，所述陣列區的基底上包括埋入式字線、第一絕緣層、所述第一絕緣層在遠離所述埋入式字線的方向具有存儲電容陣列和接觸層，所述接觸層覆蓋所述存儲電容陣列，所述外圍區的基底設置有有源區，在遠離所述有源區的方向具有隔離層和柵極結構，所述隔離層覆蓋所述柵極結構，所述隔離層包括下層結構、中層結構和上層結構，所述柵極結構的兩側包括第零層接觸，所述第零層接觸頂部低于所述上層結構上端面，在遠離所述接觸層和所述上層結構的方向具有第一氧化層，所述方法，包括：在所述第一氧化層上端面生成掩膜層，在所述掩膜層上曝光出目標接觸孔圖形；按照所述目標接觸孔圖形對所述第一氧化層進行刻蝕，以裸露出所述目標接觸孔位置對應的所述接觸層上端面，以及所述目標接觸孔位置對應的所述上層結構上端面；在刻蝕后表面沉積第二絕緣層，并在所述第二絕緣層之上沉積第二氧化層；去除所述第一氧化層上端面以上部分的第二絕緣層和第二氧化層，并從裸露出的所述接觸層上端面向下刻蝕以去除部分所述接觸層，以及從裸露出的所述上層結構上端面向下刻蝕以裸露出所述第零層接觸上端面。

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