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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海新儲(chǔ)集成電路有限公司申請(qǐng)的專利一種一次可編程只讀存儲(chǔ)器及其寫入方法、讀出方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114420184B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111501940.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C16/06；該發(fā)明授權(quán)一種一次可編程只讀存儲(chǔ)器及其寫入方法、讀出方法是由宋志棠;李喜;朱敏;宋三年;張國飆設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-09向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種一次可編程只讀存儲(chǔ)器及其寫入方法、讀出方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種一次可編程只讀存儲(chǔ)器及其寫入方法、讀出方法，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元包括：第一電極層、第二電極層以及介于第一電極層和第二電極層之間的單質(zhì)材料層；存儲(chǔ)單元具有第一閾值轉(zhuǎn)變電壓和第二閾值轉(zhuǎn)變電壓，第一閾值轉(zhuǎn)變電壓大于第二閾值轉(zhuǎn)變電壓；存儲(chǔ)單元還具有第一寫入電壓和讀電壓，第一寫入電壓大于第一閾值轉(zhuǎn)變電壓；第一讀出電壓大于第二閾值轉(zhuǎn)變電壓，且第一讀出電壓小于第一閾值轉(zhuǎn)變電壓。本發(fā)明不僅具有閾值開關(guān)功能，還具有存儲(chǔ)功能的優(yōu)點(diǎn)，靜態(tài)功耗低、結(jié)構(gòu)簡單、工藝要求低、可三維集成與三維微縮，適用于交叉陣列結(jié)構(gòu)，尤其是高密度的三維一次可編程只讀存儲(chǔ)器。

本發(fā)明授權(quán)一種一次可編程只讀存儲(chǔ)器及其寫入方法、讀出方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種一次可編程只讀存儲(chǔ)器，其特征在于，包括一存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括：第一電極層、第二電極層以及介于所述第一電極層和所述第二電極層之間的單質(zhì)材料層，所述單質(zhì)材料層采用碲元素或硒元素；成形后的所述存儲(chǔ)單元在無外界電場(chǎng)時(shí)呈現(xiàn)出高電阻，所述存儲(chǔ)單元具有：一第一閾值轉(zhuǎn)變電壓，所述第一閾值轉(zhuǎn)變電壓為首次施加電壓時(shí)所述存儲(chǔ)單元由高電阻轉(zhuǎn)化為低阻時(shí)的翻轉(zhuǎn)電壓；一第二閾值轉(zhuǎn)變電壓，所述第二閾值轉(zhuǎn)變電壓為后續(xù)施加電壓時(shí)所述存儲(chǔ)單元由高電阻轉(zhuǎn)化為低阻時(shí)的翻轉(zhuǎn)電壓；其中，所述第一閾值轉(zhuǎn)變電壓大于所述第二閾值轉(zhuǎn)變電壓；所述存儲(chǔ)單元還具有：一第一寫入電壓，所述第一寫入電壓大于所述第一閾值轉(zhuǎn)變電壓；一第一讀出電壓，所述第一讀出電壓大于所述第二閾值轉(zhuǎn)變電壓，且所述第一讀出電壓小于所述第一閾值轉(zhuǎn)變電壓。

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