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龍圖騰網(wǎng)恭喜無錫沐創(chuàng)集成電路設計有限公司申請的專利一種多熵源硬件真隨機數(shù)發(fā)生器的熵源電路版圖結構獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114373746B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111645019.8，技術領域涉及：H10F30/29；該發(fā)明授權一種多熵源硬件真隨機數(shù)發(fā)生器的熵源電路版圖結構是由朱敏;朱文昭;楊博翰;吳有余設計研發(fā)完成，并于2021-12-29向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種多熵源硬件真隨機數(shù)發(fā)生器的熵源電路版圖結構在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種多熵源硬件真隨機數(shù)發(fā)生器的熵源電路版圖結構，涉及半導體集成電路技術領域，該版圖結構包括：P型襯底以及P型襯底表面的多個獨立的N型阱區(qū)，若干組獨立的熵源電路分別制作于各個N型阱區(qū)內(nèi)，從物理根本上降低不同熵源電路之間相互串擾的問題；每個N型阱區(qū)內(nèi)形成有P型的隔離阱區(qū)，隔離阱區(qū)的底部和四周均被N型阱區(qū)包圍實現(xiàn)隔離，熵源電路中的NMOS器件均為隔離型NMOS器件且制作形成于隔離阱區(qū)內(nèi)，利用N型阱區(qū)的第二深阱區(qū)域與環(huán)形的第一淺阱區(qū)域相互配合形成一個立體容器，就可以將P型的隔離阱區(qū)圍在里面，從而從物理上阻斷了P型阱區(qū)直接與P型襯底的接觸，減小熵源電路不同部分之間的噪聲影響。

本發(fā)明授權一種多熵源硬件真隨機數(shù)發(fā)生器的熵源電路版圖結構在權利要求書中公布了：1.一種多熵源硬件真隨機數(shù)發(fā)生器的熵源電路版圖結構，其特征在于，包括：P型襯底以及所述P型襯底表面的多個獨立的N型阱區(qū)，不同的N型阱區(qū)之間通過P型阱區(qū)實現(xiàn)隔離；每個N型阱區(qū)內(nèi)形成有P型的隔離阱區(qū)，所述隔離阱區(qū)的底部和四周均被所述N型阱區(qū)包圍實現(xiàn)隔離，阻斷了P型的隔離阱區(qū)直接與P型襯底的接觸；若干組獨立的熵源電路分別制作于各個所述N型阱區(qū)內(nèi)，每組熵源電路中包括NMOS器件和PMOS器件，所述熵源電路中的NMOS器件均為隔離型NMOS器件，且隔離型NMOS器件制作于所述N型阱區(qū)內(nèi)的隔離阱區(qū)內(nèi)，隔離型NMOS器件包括P型襯底、P型的隔離阱區(qū)、隔離阱區(qū)底部的第二深阱區(qū)域、形成在P型的隔離阱區(qū)表面的N型重摻雜注入?yún)^(qū)以及在P型的隔離阱區(qū)上的多晶硅柵層，并引出隔離型NMOS器件的柵端、漏端、源端以及襯底端；所述熵源電路中的PMOS器件制作于所述N型阱區(qū)內(nèi)除隔離阱區(qū)外的區(qū)域內(nèi)，PMOS器件包括P型襯底、N型阱區(qū)內(nèi)除隔離阱區(qū)外的區(qū)域、形成在N型阱區(qū)表面的P型重摻雜注入?yún)^(qū)以及在N型阱區(qū)內(nèi)除隔離阱區(qū)外的區(qū)域上的多晶硅柵層，并引出PMOS器件的柵端、漏端、源端以及襯底端；PMOS器件與隔離型NMOS器件交替形成，使得任意兩個PMOS器件的N型阱之間通過P型阱實現(xiàn)隔離。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" >無錫沐創(chuàng)集成電路設計有限公司，其通訊地址為：214026 江蘇省無錫市濱湖區(qū)建筑西路777號A3幢7層703；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。