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龍圖騰網恭喜中山大學申請的專利一種縱向結構氮化鎵功率晶體管的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114335148B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111675551.4，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種縱向結構氮化鎵功率晶體管的制備方法是由劉揚;黎城朗設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種縱向結構氮化鎵功率晶體管的制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于半導體技術領域，更具體地，涉及一種縱向結構氮化鎵功率晶體管的制備方法。通過選擇區域外延，同時形成深槽p阱屏蔽層和凹槽結構，能夠有效降低柵氧化層電場，避免了高氧化層電場帶來的器件可靠性問題，同時避免了干法刻蝕帶來的凹槽的損傷和界面態缺陷，從而提高器件的耐壓能力和可靠性。

本發明授權一種縱向結構氮化鎵功率晶體管的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種縱向結構氮化鎵功率晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：S1.通過MOCVD在n型導電襯底1上外延生長器件漂移區2；S2.通過ICP刻蝕出需生長p阱的臺面；S3.在器件漂移區2上通過PECVD沉積SiO2掩膜層3，去除器件需形成p阱區域和p型溝道層區域的SiO2掩膜層3；S4.通過MOCVD外延生長出p型GaN區域4和N型GaN區域5，去除SiO2掩膜層3；S5.在步驟S4形成的器件上生長柵介質層6；S6.通過光刻顯影技術露出需要蒸鍍源極區域位置處的柵介質層6，并使用緩沖氫氟酸溶液去除柵介質層6；S7.通過ICP刻蝕出源極和p型GaN區域4的歐姆接觸窗口；S8.在器件p型GaN區域4上采用電子束蒸發法或磁控濺射法蒸鍍金屬，并通過退火形成短接歐姆接觸7；S9.在器件n型GaN區域5上采用電子束蒸發法或磁控濺射法蒸鍍金屬，并通過退火形成歐姆接觸作為源極8；S10.采用電子束蒸發法或磁控濺射法在器件凹槽區域上蒸鍍金屬，并通過退火形成柵電極9；S11.在n型導電襯底1上采用電子束蒸發法或磁控濺射法蒸鍍金屬，并通過退火形成歐姆接觸電極作為漏極10。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中山大學，其通訊地址為：510275 廣東省廣州市海珠區新港西路135號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。