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龍圖騰網恭喜天津華慧芯科技集團有限公司申請的專利一種防光刻膠漂膠和裂膠的工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114706275B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210151780.4，技術領域涉及：G03F7/20；該發明授權一種防光刻膠漂膠和裂膠的工藝是由王磊;劉新鵬;李宗宴;李文喆;孫崢;付通;宋學穎;曲迪設計研發完成，并于2022-02-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種防光刻膠漂膠和裂膠的工藝在說明書摘要公布了：本發明公開了一種防光刻膠漂膠和裂膠的工藝，屬于半導體加工技術領域，包括：S1、選取所需材料的襯底作為待加工晶圓，然后在晶圓上加工套刻標記；S2、在晶圓上沉積過渡層；S3、對晶圓依次進行預處理、旋涂ZEP520A光刻膠、烘烤，然后對晶圓進行套刻曝光，制作將目標圖形線寬擴大后的圖形，并對晶圓進行顯影，最后進行烘烤堅膜；S4、刻蝕晶圓過渡層；S5、對晶圓進行去膠；S6、對晶圓依次進行預處理、旋涂ZEP520A光刻膠、烘烤，然后對晶圓進行套刻曝光，制作目標圖形，并對晶圓進行顯影；S7、沉積目標金屬；S8、對晶圓進行剝離；S9、去除過渡層，得到目標結構。本發明能夠防止光刻膠漂膠和裂膠。

本發明授權一種防光刻膠漂膠和裂膠的工藝在權利要求書中公布了：1.一種防光刻膠漂膠和裂膠的工藝，其特征在于，至少包括：S1、選取所需材料的襯底作為待加工晶圓，然后在晶圓上加工套刻標記；S2、使用電子束蒸發或濺射或化學氣相沉積在晶圓上沉積50nm厚的二氧化硅；S3、對晶圓進行O2plasma預處理，然后旋涂360nm厚的ZEP520A光刻膠，并使用烘箱180℃烘烤20min，再使用電子束光刻設備對晶圓進行自動套刻曝光，制作將目標圖形線寬擴大后的圖形，并對晶圓進行顯影，然后用120℃熱板烘烤2min，進行堅膜；S4、刻蝕晶圓上作為過渡層的二氧化硅；S5、對晶圓進行去膠；S6、對晶圓進行O2plasma預處理，然后旋涂360nm厚的ZEP520A光刻膠，并使用烘箱180℃烘烤20min，再使用電子束光刻設備對晶圓進行自動套刻曝光，制作目標圖形，并對晶圓進行顯影；S7、沉積目標金屬；S8、對晶圓進行剝離；S9、去除過渡層，得到目標結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天津華慧芯科技集團有限公司，其通訊地址為：300467 天津市濱海新區生態城中天大道1620號生態科技園啟發大廈12層101；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。