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龍圖騰網(wǎng)恭喜廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司;杭州士蘭集成電路有限公司申請(qǐng)的專利一種發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114843384B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210404705.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/824；該發(fā)明授權(quán)一種發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法是由鄭錦堅(jiān);王曼;常亮;高默然;畢京鋒設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-04-18向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：公開了一種發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)包括：襯底；以及在襯底上依次堆疊的第一半導(dǎo)體層、第一阻擋層、第二阻擋層、多量子阱層以及第二半導(dǎo)體層，第一阻擋層和第二半導(dǎo)體層的摻雜類型彼此相反，其中，第一半導(dǎo)體層、第一阻擋層、第二阻擋層、多量子阱以及第二半導(dǎo)體層分別進(jìn)行碳摻雜，并且多量子阱層的碳摻雜濃度≤第一阻擋層的碳摻雜濃度≤第一半導(dǎo)體層的碳摻雜濃度≤第二阻擋層的碳摻雜濃度≤第二半導(dǎo)體層的碳摻雜濃度。本發(fā)明的發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，通過設(shè)置外延結(jié)構(gòu)中各層的碳摻雜濃度的變化，降低電子注入多量子阱的速率，降低電子從多量子阱溢出幾率，從而提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

本發(fā)明授權(quán)一種發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：襯底；以及在所述襯底上依次堆疊的第一半導(dǎo)體層、第一阻擋層、第二阻擋層、多量子阱層以及第二半導(dǎo)體層，所述第一阻擋層和所述第二半導(dǎo)體層的摻雜類型彼此相反，其中，所述第一半導(dǎo)體層、第一阻擋層、第二阻擋層、多量子阱以及第二半導(dǎo)體層分別進(jìn)行碳摻雜，并且所述多量子阱層的碳摻雜濃度≤所述第一阻擋層的碳摻雜濃度≤第一半導(dǎo)體層的碳摻雜濃度≤所述第二阻擋層的碳摻雜濃度≤所述第二半導(dǎo)體層的碳摻雜濃度。

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