買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜西南交通大學申請的專利用于混合尺度納流體芯片的凸模具的制備方法及應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115477276B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211029524.4，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權用于混合尺度納流體芯片的凸模具的制備方法及應用是由余丙軍;吳磊;陳婷婷;崔立聰;錢林茂設計研發完成，并于2022-08-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于混合尺度納流體芯片的凸模具的制備方法及應用在說明書摘要公布了：本發明公開了用于混合尺度納流體芯片的凸模具的制備方法及應用，該方法的加工步驟為：首先采用微納刻劃設備對單晶硅樣品進行刻劃，再置入硅烷和乙醇的混合溶液中，使硅烷分子充分吸附在刻劃區域；然后采用刻蝕溶液對單晶硅樣品進行選擇性刻蝕，刻蝕出具有微米級高度和厘米級長度的硅凸結構；再采用微納刻劃設備刻劃具有硅凸結構的單晶硅表面，然后再次選擇性刻蝕，從而形成具有納米級高度的凸結構，完成混合尺度納凸模具結構加工。本發明利用兩次掃描探針技術實現了單晶硅表面具有混合尺度特征的凸模具集成加工，加工流程簡單、成本低，可以提高納流體芯片的生產效率。

本發明授權用于混合尺度納流體芯片的凸模具的制備方法及應用在權利要求書中公布了：1.用于混合尺度納流體芯片的凸模具的制備方法，其特征在于，加工步驟如下：S1、采用微納刻劃設備一在潔凈的單晶硅樣品表面按預定軌跡進行第一次刻劃加工，暴露出刻劃區域的單晶硅襯底；所述微納刻劃設備一刻劃時所用的接觸壓力為11-20GPa；S2、將步驟S1中第一次刻劃后的單晶硅樣品置入混合溶液中浸泡，使硅烷分子充分吸附在刻劃區域，用于提升刻劃區域的抵抗刻蝕的能力；所述混合溶液為硅烷和乙醇混合，或硅氧烷和乙醇混合；所述浸泡時間為1-3h；S3、采用刻蝕溶液對步驟S2所處理的單晶硅樣品進行選擇性刻蝕，從而刻蝕出具有微米級高度和厘米級長度的硅凸結構；S4、采用微納刻劃設備二對步驟S3中具有硅凸結構的單晶硅表面進行第二次刻劃，在單晶硅表面形成納米級劃痕；所述微納刻劃設備二刻劃時所用的接觸壓力為11-13GPa，速度為1-100μms；S5、將步驟S4所得的單晶硅樣品再次浸入刻蝕溶液中進行選擇性刻蝕，形成具有納米級高度的凸結構；其中，所述微納刻劃設備一的曲率半徑大于微納刻劃設備二；所述微納刻劃設備一采用曲率半徑為微米級的金剛石探針一；所述微納刻劃設備二采用曲率半徑為20-50nm的金剛石探針二。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西南交通大學，其通訊地址為：610031 四川省成都市金牛區二環路北一段111號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。