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龍圖騰網恭喜華南理工大學申請的專利一種單饋大頻比三頻共口徑天線獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115603053B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211171256.X，技術領域涉及：H01Q5/20；該發明授權一種單饋大頻比三頻共口徑天線是由鄧秋君;陳楷升;左麗設計研發完成，并于2022-09-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種單饋大頻比三頻共口徑天線在說明書摘要公布了：本發明公開了一種單饋大頻比三頻共口徑天線，涉及5G通訊技術，針對現有技術中三頻天線口徑共用低等問題提出本方案。主要通過將微波貼片天線單元放置在雙毫米波頻段天線單元的的上方，使得雙毫米波頻段天線單元作為微波貼片天線單元的輻射地板實現共口徑的結構復用。巧妙地采用在雙毫米波頻段天線單元的大矩形SIW腔體中劃分四個小腔體以及四個L型輻射縫隙，可以極大提高雙毫米波頻段的天線增益，采用微帶單輸入饋電將能量通過十字交叉縫隙和金屬柱分別耦合引入，微帶上添加CMRC及SIW本身特性，使得高低頻隔離度高，兩天線單元可調性更為靈活。最終實現一種單饋電、雙輻射單元、三頻段工作的共口徑5G天線。

本發明授權一種單饋大頻比三頻共口徑天線在權利要求書中公布了：1.一種單饋大頻比三頻共口徑天線，其特征在于，包括依次層疊設置的第一介質層10、第一金屬層20、第二介質層30、第二金屬層40、第三介質層50以及第三金屬層60；且每層結構均沿中軸線左右對稱；所述的第一介質層10底部鋪設有饋電微帶線11；所述饋電微帶線11沿中軸線延伸，輸入端延伸至第一介質層10底邊，輸出端延伸至靠近第一介質層10頂邊的位置；第一介質層10還設有垂直于輻射平面的金屬柱13；所述金屬柱13一端與饋電微帶線11輸出端電性連接，另一端貫穿第一介質層10、第一金屬層20、第二介質層30、第二金屬層40、第三介質層50和第三金屬層60，且與第一金屬層20、第三金屬層60電性連接；饋電微帶線11靠近金屬柱13的位置還設有低通濾波器12；所述的第一金屬層20在金屬柱13貫穿點與本層底邊之間設有十字耦合縫隙21，所述十字耦合縫隙21的交叉點與中軸線重合，十字耦合縫隙21的縫隙延伸方向均與中軸線成45°夾角；所述的第二介質層30在金屬柱13貫穿點與本層底邊之間設有基片集成波導腔體31，所述基片集成波導腔體31由多個金屬過孔規則排列圍蔽而成；基片集成波導腔體31中心位置為耦合區34，耦合區34在垂直位置上與所述十字耦合縫隙21相匹配；基片集成波導腔體31內通過四排毫米波分隔金屬過孔32均勻劃分為四個14波導腔體；其中左右兩排毫米波分隔金屬過孔32的排列方向與中軸線垂直，上下兩排毫米波分隔金屬過孔32的排列方向與中軸線重合；每個14波導腔體內均設有一毫米波匹配金屬過孔33；第二介質層30內所有的金屬過孔均與上方的第二金屬層40和下方的第一金屬層20電性連接；所述的第二金屬層40呈凸字形，靠近本層頂邊的矩形為微波模塊48，靠近本層底邊的矩形為毫米波模塊49；所述毫米波模塊49設有與第二介質層30各金屬過孔一一相配的開孔；毫米波模塊49、第二介質層30和第一金屬層20層疊構成矩形基片集成波導；第二金屬層40在所述四個14波導腔體的對應位置各設有一L型輻射縫隙46；所述的微波模塊48中部設有圓形縫隙44，所述圓形縫隙44與所述金屬柱13同軸且與金屬柱13之間保持一定距離；所述的第三介質層50在微波模塊48對應的位置設有兩排微波調節金屬過孔52，兩排微波調節金屬過孔52的排列方向與中軸線平行且對稱；微波調節金屬過孔52均與上方的第三金屬層60和下方的第二金屬層40電性連接；微波模塊48在各微波調節金屬過孔52下方的位置還設有一一相配的開孔；所述的第三金屬層60呈凹字形，水平延伸的信號傳輸段61設置在微波模塊48上方并垂直于中軸線向兩側延伸至毫米波模塊49之外，信號傳輸段61兩端分別向毫米波模塊49平行延伸出輻射段62；信號傳輸段61在中軸線兩側分別設有與各微波調節金屬過孔52一一相配的開孔；在本層的開孔與金屬柱13連接點之間還設有兩微波調節縫隙64；所述兩微波調節縫隙64相對中軸線對稱且平行延伸，靠近本層底邊的一端為開放式結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華南理工大學，其通訊地址為：510641 廣東省廣州市天河區五山路381號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。