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龍圖騰網恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115394646B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211202126.8，技術領域涉及：H01L21/3213；該發明授權半導體器件及其制造方法是由張振興設計研發完成，并于2022-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供的半導體結構及其制造方法，由于在以掩膜層為掩膜刻蝕第二金屬層時，當形成在第二金屬層中的第二開口達到預定深度時，對第二金屬層執行去除工藝，以去除至少部分位于第二開口側壁上的殘留物，進而避免最終由第一金屬層和第二金屬層溝槽的相鄰柵線連接，以提升半導體結構性能。

本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：提供襯底；在所述襯底上依次形成第一金屬層、第二金屬層和掩膜層，所述掩膜層具有第一開口，形成所述第二金屬層的材料為硅化鎢，以及形成所述掩膜層的材料為氮化硅；以所述掩膜層為掩膜，對所述第二金屬層執行第一刻蝕工藝，以使所述第一開口延伸至所述第二金屬層以形成第二開口，其中，在執行所述第一刻蝕工藝過程中，至少在所述第二開口的側壁形成有殘留物；在所述第二開口的深度達到預定深度時，對所述第二金屬層執行去除工藝，以去除至少部分所述殘留物，執行所述去除工藝時的功率為：0W～20W；以所述掩膜層為掩膜，對所述第二金屬層執行第二刻蝕工藝以擴大所述第二開口，并使所述第二開口延伸至所述第一金屬層頂表面；所述第二刻蝕工藝包括：主刻蝕工藝和過刻蝕工藝，以及對所述第二金屬層執行第二刻蝕工藝的方法包括：依次對所述第二金屬層執行主刻蝕工藝和過刻蝕工藝，其中，所述主刻蝕工藝和所述過刻蝕工藝的刻蝕氣體相同，且氣體流量配比不同；在執行所述第二刻蝕工藝之后，以所述掩膜層為掩膜，對所述第一金屬層執行第三刻蝕工藝，以使得所述第二開口延伸至所述第一金屬層以形成第三開口，其中，位于所述第二開口和所述第三開口兩側的所述第二金屬層和所述第一金屬層分別構成兩個柵極；所述第一刻蝕工藝和所述第二刻蝕工藝的刻蝕氣體均為：氯氣、三氟化氮和氧氣。

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