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龍圖騰網恭喜東南大學申請的專利一種背向輻射的異構集成封裝天線獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116190980B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310009640.8，技術領域涉及：H04L12/06；該發明授權一種背向輻射的異構集成封裝天線是由沈一竹;盧森;胡三明設計研發完成，并于2023-01-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種背向輻射的異構集成封裝天線在說明書摘要公布了：本發明公開了一種背向輻射的異構集成封裝天線，介質基片多層壘疊，第一介質基片作為蓋板位于頂層，第二介質基片的中心完全掏空以容納直流鍵合線，第三介質基片中心部分刻蝕以放置MMIC芯片，第四介質基片四周削薄以抑制表面波并提升輻射效率；金屬屏蔽層附著于介質基片表面，留有矩形耦合窗來規范傳輸模式；MMIC芯片上設計有片上天線，天線能量經MMIC芯片襯底傳遞到第三介質基片，并由金屬化通孔圍欄引導至第四介質基片，最終輻射于空氣中。該背向輻射的異構集成封裝天線結合了MMIC芯片工藝和多層介質基片工藝，同時實現了天線的高性能設計和系統的小型化封裝，能夠應用于毫米波、太赫茲頻段的大規模相控陣和反向陣系統中。

本發明授權一種背向輻射的異構集成封裝天線在權利要求書中公布了：1.一種背向輻射的異構集成封裝天線，其特征在于，包括介質基片、金屬屏蔽層、金屬化通孔圍欄（3）、MMIC芯片（4）和片上天線（5）；所述介質基片共四層，依次壘疊，第一介質基片（11）為完整一塊；第二介質基片（12）中心完全掏空，形成上下通透的矩形腔；第三介質基片（13）中心部分刻蝕，保留介質基底；第四介質基片（14）四周削薄，中心向下凸出的矩形介質塊；所述金屬屏蔽層附著于介質基片表面，第一金屬屏蔽層（21）附著于第一介質基片（11）頂面，第二金屬屏蔽層（22）介于第一介質基片（11）和第二介質基片（12）之間，第三金屬屏蔽層（23）介于第二介質基片（12）和第三介質基片（13）之間，第四金屬屏蔽層（24）介于第三介質基片（13）和第四介質基片（14）之間，第五金屬屏蔽層（25）附著于第四介質基片（14）底面，第六金屬屏蔽層（26）附著于第二介質基片（12）的矩形腔側面，第七金屬屏蔽層（27）附著于第三介質基片（13）的矩形腔側面，第八金屬屏蔽層（28）附著于第三介質基片（13）的矩形腔底面；所述金屬化通孔圍欄（3）首尾相接，整體呈矩形狀，從上至下依次貫穿第八金屬屏蔽層（28）、第三介質基片（13）、第四金屬屏蔽層（24）、第四介質基片（14）和第五金屬屏蔽層（25）；所述MMIC芯片（4）置于第三介質基片（13）的矩形腔內；所述片上天線（5），設置在MMIC芯片（4）上，處于中心位置。

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